內(nèi)嵌XPM存儲(chǔ)器RFID高頻接口模塊設(shè)計(jì)

　　2.3 偏置產(chǎn)生電路

　　偏置產(chǎn)生電路如圖 4 所示, PMOS 晶體管M1 和M2 還有電容CAP 組成了偏置電路的啟動(dòng) 電路。PMOS 晶體管M3 和M4 還有NMOS 晶體管M5 和M6 和電阻R 組成了與電源電壓無關(guān)的電 流偏置。

　　圖4 偏置產(chǎn)生電路

　　由于M3 晶體管的寬長(zhǎng)比是M4 的N 倍,而由于M5 和M6 的寬長(zhǎng)比一樣,根據(jù)電流鏡的原理, 流過M5 管的電流I5 和流過M6 管的電流I6 相等.而

　　由于上式都是常數(shù),所以,我們可以得到一個(gè)與電源電壓VDD 有固定差值的偏置電壓Vbias。

　　2.4 高壓保護(hù)電路

　　高壓保護(hù)電路如圖 5 所示, 高壓保護(hù)電路在RFID 標(biāo)簽芯片中很重要,因?yàn)楫?dāng)讀卡器發(fā)出的磁 場(chǎng)強(qiáng)度很大時(shí),而RFID 標(biāo)簽芯片又離讀卡器天線距離很近時(shí), RFID 標(biāo)簽天線兩端coil1 和 coil2 感應(yīng)的電壓可以達(dá)到上百伏,如果不加高壓保護(hù)電路的,對(duì)芯片內(nèi)部的器件回造成損 壞。

　　當(dāng)coil1 和coil2 感應(yīng)的電壓經(jīng)過整流電路后,輸出的電壓如果大于M3、M4、M5、M6 和R2 的壓降時(shí)，就對(duì)coil1 和coil2 電壓進(jìn)行限壓。從而保護(hù)coil1 和coil2 的兩端電壓在正常范圍內(nèi)。

　　圖 5 高壓保護(hù)電路

　　2.5 穩(wěn)壓電路

　　穩(wěn)壓電路如圖 6 所示。在RFID 標(biāo)簽芯片中，需要有一個(gè)較大的電容儲(chǔ)存足夠的電荷供 標(biāo)簽在輸入能量較弱的時(shí)候當(dāng)作電源來使用。如果輸入電壓過高，電源電壓升高到一定程度， 穩(wěn)壓電路中瀉流電路就要起作用，把電容上多余的電荷釋放掉，以達(dá)到穩(wěn)壓的目的。圖6 中的穩(wěn)壓電路采用5 個(gè)PNP 三極管，這種穩(wěn)壓電路做到了采用最少的器件達(dá)到穩(wěn)壓的效果。 由于PNP 的Vbe 電壓在0.7v 左右，所以5 個(gè)三極管的穩(wěn)壓在3.5v 左右。當(dāng)電壓超過3.5v 后，電流會(huì)功過PNP 的發(fā)射極到集電極的通路把電荷釋放掉。很好的起到限壓的效果。

　　圖 6 穩(wěn)壓電路