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        富士通推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產品

        作者: 時間:2012-10-16 來源:電子產品世界 收藏

          半導體(上海)有限公司日前宣布,推出其V系列的又一款新產品。至今為止,V系列產品已經涵蓋了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內工作的產品,為當今對元器件電壓范圍要求高的領域提供了設計的方便。作為全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器供應商,富士通后續還將根據市場需求推出更大容量的產品。  

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/137727.htm

        芯片圖

          FRAM產品結合了ROM的非易性數據存儲性能和RAM的優勢,具有幾乎無限次的讀寫次數、高速讀寫周期和低功耗特點。富士通FRAM產品線具有多種接口和容量,包括工業標準的串行和并行接口;富士通FRAM產品具備了高速讀寫,高耐久性,低功耗三大特點,使其不同于其他非易失性存儲器。FRAM產品廣泛的應用于儀器儀表,工業控制,汽車電子,金融POS等各種先進領域,對于這些領域來說FRAM的高速讀寫,高耐久性,低功耗等特性非常重要。

          憑借公司內部一體化的開發和制造流程,富士通半導體可以更加優化設計和工廠間的密切合作,這為富士通向客戶穩定的提供高質量產品打下了基礎。

        • 富士通FRAM現有產品列表  

         

        • MB85RC256V重要參數

          •256Kb 存儲容量,采用32kx 8位結構
          •1012次的讀寫次數
          •數據保存10年(+85°C)
          •2.7V-5.5V工作電壓范圍

        • 串行外設接口-I2C

          •4.5V-5.5V,工作頻率達1MHz
          •2.7V-4.5V,工作頻率達400KHz

        • 溫度及封裝配置

          •-40°C至 +85°C的工業溫度范圍
          •支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝

        • 供貨時間

          從2012年8月中旬起提供樣品,2012年10月中旬起可以接受批量訂貨。



        關鍵詞: 富士通 FRAM MB85RC256V

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