安森美半導體AC-DC非隔離高功率因數(shù)LED驅動方案

圖1：降壓及降壓-升壓配置比較

　　相比較而言，降壓-升壓拓撲結構的輸入電流波形跟負載無關，具有高功率因數(shù)、良好的總諧波失真性能。降壓-升壓配置下，電感與LED串并未串聯(lián)，輸入電流波形或失真與輸出壓降(VF)無關;固有的LED故障保護功能可在MOSFET短路時提供保護;LED正向壓降可以高于或低于輸入電壓;MOSFET開關電壓應力為輸入電壓與輸出壓降之和(Vin+Vout)。

　　2) 基于NCL30000的非隔離降壓-升壓LED驅動器方案

　　本文將重點探討降壓-升壓拓撲結構的NCL30000非隔離型LED驅動器方案。　　

圖2：NCL30000非隔離降壓-升壓拓撲結構電路圖

　　如圖2所示，在NCL30000非隔離降壓-升壓拓撲結構應用中，LED平均電流被穩(wěn)流，可穩(wěn)定線路電壓變化和負載變化;可實現(xiàn)LED開路及短路保護;如果FET短路，LED仍然安全。

　　NCL30000降壓-升壓拓撲結構的工作原理包括：

• 直接感測LED電流，提供真正的平均模式反饋。可以在寬LED電壓范圍內(nèi)維持緊密的穩(wěn)流;感測電阻(R9)的阻值很小，可提升能效至最高;匹配的晶體管對(Q1)產(chǎn)生與LED電流成正比的電流。
• 分級電平轉換晶體管(Q2)將正比例電流耦合至低邊控制器;省去了光耦;第二個分級晶體管(Q5)用于“高輸入+輸出”電壓的方案。
• 端接電阻(R14)將正比例電流轉換為電壓;將電壓用作提供給控制器的反饋信號;在LED平均電流處關閉反饋環(huán)路。
• 低環(huán)路帶寬提供高功率因數(shù)。