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        基于瑞薩QzROM單片機的EFT抗干擾措施

        作者:宋秀敏,卜建平 時間:2012-02-09 來源:電子產品世界 收藏

          單片機介紹

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/128754.htm

          是應用了經過細微化處理的PROM技術的可編程存儲器。單片機是指搭載了新型存儲器QzROM的瑞薩單片機(圖1),廣泛應用于照相機、便攜式設備、家電及民用設備等。

          EFT概念

          EFT(電快速瞬變脈沖群,如圖2)是由電路中的感性負載斷開時產生。特點是一連串的脈沖,對電路的影響比較大,可造成(單片機)程序跑飛、死機、復位等情況。由于一連串的脈沖可以在電路的輸入端產生累積效應,使干擾電平的幅度最終超過電路噪聲門限。

          當脈沖串的每個脈沖相距很近時,電路的電容沒有足夠時間放電,就又開始新的充電,容易達到較高的電平。所以脈沖串的周期越短對電路影響越大。

          EFT抗干擾措施,主要介紹三類方法:

          1.優化PCB(印制電路板)布線

          •在元件布局方面,需優先放置(單片機)、時鐘、復位電路;將元器件劃分不同的功能模塊,合理擺放各模塊位置,調整元器件角度,縮短總布線長度。

          •在布線寬度、布線間隙方面,盡量用更粗的布線寬度和布線間隙,減少在干擾下導線上的電壓對信號的影響,同時減少各個布線間的干擾。

          •在地線、電源線布置方面:盡量將、時鐘、復位電路的地線、電源線與其他功能分離開來,低頻時注意覆銅的放置,應盡量縮短布線長度。

        存儲器相關文章:存儲器原理




        關鍵詞: QzROM MCU

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