Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

　　帶溫度補(bǔ)償?shù)倪^(guò)流保護(hù)

　　表1所列的Intersil集成穩(wěn)壓器具有過(guò)流保護(hù)功能。高端功率P-溝道MOSFET的區(qū)域，對(duì)峰值電流進(jìn)行監(jiān)測(cè)。這可以防止外部噪聲，而外部噪聲可能需要增加額外的濾波器并延長(zhǎng)保護(hù)響應(yīng)時(shí)間，對(duì)于沒(méi)有集成MOSFET的IC，情況常常如此。

　　如果吸入電流過(guò)大，比較器將翻轉(zhuǎn)，高端MOSFET被關(guān)斷。除很強(qiáng)的抗噪聲能力和過(guò)流保護(hù)功能外，穩(wěn)壓器具有的溫度補(bǔ)償功能也可以在整個(gè)允許的溫度范圍內(nèi)保持相對(duì)恒定的極限值。溫度每變化1ºC，大多數(shù)MOSFET的Rds(on) 將改變0.5%。對(duì)于采用外接MOSFET的方案——特別是使用外接MOSFET感應(yīng)電流時(shí)——很難根據(jù)溫度變化進(jìn)行調(diào)節(jié)，除非增加額外的成本和/或電路的復(fù)雜程度。集成的穩(wěn)壓器可以根據(jù)MOSFET的變化方便地進(jìn)行內(nèi)部調(diào)節(jié)。與外接電路相比，功率器件和控制部分之間的熱耦合更為緊密。帶溫度補(bǔ)償?shù)钠骷c不帶溫度補(bǔ)償器件的比較如圖4所示。

　　圖4. 典型4A器件的輸出電流過(guò)載閥值

　　注：

　　l Overcurrent Protection：過(guò)流保護(hù)

　　l Output Current：輸出電流

　　l Temperature：溫度

　　l Thermal Compensated：帶溫度補(bǔ)償

　　l Thermal Uncompensated：不帶溫度補(bǔ)償

　　其他先進(jìn)的控制功能

　　Intersil的集成化FET DC/DC轉(zhuǎn)換器具有先進(jìn)的控制功能，如表1所示。

　　表1.