飛思卡爾推出RF功率LDMOS晶體管

　　飛思卡爾半導體宣布推出RF功率LDMOS晶體管，該產品結合了業界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向UHF廣播電視應用而設計。

　　作為飛思卡爾RF功率LDMOS晶體管系列的最新成員，MRFE6VP8600H與其上一代產品相比輸出功率提高39%，其設計在滿足ATSC、DVB-T和ISDB-T等許多主要數字傳輸標準要求的同時帶來最高性能。MRFE6VP8600H 為電視發射機制造商和廣播公司提供了顯著優勢。 例如，晶體管可以在完整廣播頻段中交付25W的線性功率(超過600W峰值包絡功率)，并可以帶來極高的效率(通常在860 MHz時為30%，當采用Doherty配置時可高達45%)。

　　UHF頻段范圍從470 MHz到860 MHz，廣播公司使用這些頻段無線傳輸電視信號。目前，絕大多數采用數字廣播的電視臺都在使用UHF頻段。

　　飛思卡爾RF部門副總裁兼總經理Ritu Favre表示，“新的MRFE6VP8600H再次加強了飛思卡爾提供客戶發展所需的卓越性能和效率的持續承諾，即便在面對極為嚴格的市場要求的行業中亦是如此。該新產品的推出強調了飛思卡爾具有標志性的運營方針，即利用其對網絡市場的深入了解，通過智能、系統級的設計流程實現性能和效率收益。”

　　MRFE6VP8600H具有更高的RF輸出和效率，可降低晶體管的總數和指定輸出功率所需的合成階段，與上一代固態系統相比，可幫助簡化發射器設計并提高可靠性。 與上一代產品相比，基于MRFE6VP8600H的發射器使用的電量最高可節省15%，從而可節省大量運營成本。

　　MRFE6VP8600H是同類產品中最耐用的RF功率LDMOS晶體管。 當由其全額定RF輸出功率驅動時，該設備在所有相位角驅動超過65:1的阻抗失配(VSWR)時都不會出現性能下降，即使由兩倍的額定輸入功率驅動。 晶體管的耐用性使它在天線結冰、輸電線路故障或操作錯誤等不利條件下能夠更加可靠，即便是在由預失真系統創建的驅動峰值出現時。

　　另外，MRFE6VP8600H可輕松應對由高選擇性信道濾波器導致的頻段外反射負載條件，以及采用DVB-T (8k OFDM)等高階調制技術的數字傳輸方案的高峰均比(PAR)特性。 MRFE6VP8600H的增強耐用特點也使其可以采用經簡化的發射器保護電路。

　　MRFE6VP8600H的主要規格包括：

　　• 860 MHz時具有125W平均RF輸出功率(DVB-T [8k OFDM] 信號)，19.3 dB 增益和30%的效率。

　　• 600 W峰值RF功率。

　　• 可以采用Class AB、Doherty或漏端調制放大器架構設計，消除了對于針對每種架構而優化的專用設備的需求。

　　• 集成靜電放電(ESD)保護在裝配過程中針對出現的雜散電壓提供電阻。

　　• 當作為Doherty放大器的峰值階段運行時，-6V至+10V的擴展負柵-源電壓范圍可提高性能。

　　• 封裝在飛思卡爾的NI-1230螺栓式陶瓷氣腔封裝(MRFE6VP8600H)或NI-1230S焊接式陶瓷氣腔封裝中(MRFE6VP8600HS)。