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        三洋電機厚98μm薄型HIT單元轉換效率達到23.7%

        —— 三洋電機的研發正向在維持轉換效率的情況下以單元薄型化來降低成本轉移
        作者: 時間:2011-09-12 來源:光伏制造 收藏

          采用98μm厚的薄型Si單元的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer),實現了23.7%的轉換效率。該公司2009年9月發布的22.8%的轉換效率(厚度為98μm)又提高了0.9個百分點。超過了該公司在2009年2月發布,目前最高的轉換效率23.0%(厚度在200μm以上)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/123455.htm

          轉換效率的提高主要得益于以下三點:(1)改進透明導電膜(TCO),提高了孔遷移率;(2)改進布線部分,減小了布線暗影的影響,同時降低了電阻值; (3)提高對短波長光的反應,減小了光學損失。上述改進措施的具體方法均未透露。

          通過上述改進,開路電壓(Voc)達到745mV、短路電流(Isc)達到3.966A、填充系數(FF)達到80.9%。單元面積為100.7cm2。此次轉換效率的測定是由產業技術綜合研究所在2011年5月31日實施的。

          發布會之后的提問中,有人詢問在普通厚度的單元上應用此次成果的情況。對此,表示“我們在研發中一直致力于降低成本,因此現有厚度的單元沒有試用此次的成果”。結晶硅型的轉換效率正在逐漸接近理論極限值。為了應對轉換效率越來越難以提高的情況,的研發正向在維持轉換效率的情況下以單元薄型化來降低成本轉移。



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