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        富士通半導體推出全新SPI FRAM

        —— 基于0.18 μm 技術
        作者: 時間:2011-07-20 來源:電子產品世界 收藏

                半導體(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術的全新 產品家族,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號,并從即日起開始為客戶提供樣片。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/121583.htm

         

                FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機存儲器)將SRAM 的快寫與閃存的非易失性優勢集中在一塊芯片上。全新的家族MB85RSxxx包括3個型號:MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A,分別代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三個密度級。3個芯片的工作電壓范圍在3.0 ~ 3.6V,讀寫周期為100億次,數據保存在55°C的條件下可達10年,且其工作頻率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM產品在寫處理時無需電壓增壓器,非常適合低功率應用。該產品提供具有標準存儲器引腳配置的8引腳封裝,完全兼容E2PROM芯片。

        產品陣容

                FRAM獨立存儲芯片可廣泛用于計量、工廠自動化應用以及需要數據采集、高速寫入和耐久性的行業。對客戶來說,FRAM不僅可以取代所有使用電池支持的解決方案,同時也是一款綠色環保的產品。除 SPI FRAM家族之外,半導體還提供帶I²C和并行口的FRAM獨立芯片,密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外,還計劃進一步擴展FRAM組合以滿足市場需求。憑借領先的技術開發和完善的制造工藝,富士通半導體不斷優化產品設計,并加強與工廠間的密切合作,為向市場穩定地提供高質量產品打下了基礎。



        關鍵詞: 富士通 SPI FRAM

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