富士通體推出基于0.18 μm 技術(shù)的全新SPI FRAM

        富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號，并從即日起開始為客戶提供樣片。

        FRAM （Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機存儲器）將SRAM 的快寫與閃存的非易失性優(yōu)勢集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個型號：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三個密度級。3個芯片的工作電壓范圍在3.0 ～ 3.6V，讀寫周期為100億次，數(shù)據(jù)保存在55°C的條件下可達10年，且其工作頻率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM產(chǎn)品在寫處理時無需電壓增壓器，非常適合低功率應(yīng)用。該產(chǎn)品提供具有標準存儲器引腳配置的8引腳封裝，完全兼容E2PROM芯片。

SPI FRAM產(chǎn)品陣容

        FRAM獨立存儲芯片可廣泛用于計量、工廠自動化應(yīng)用以及需要數(shù)據(jù)采集、高速寫入和耐久性的行業(yè)。對客戶來說，F(xiàn)RAM不僅可以取代所有使用電池支持的解決方案，同時也是一款綠色環(huán)保的產(chǎn)品。除 SPI FRAM家族之外，富士通半導(dǎo)體還提供帶I²C和并行口的FRAM獨立芯片，密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外，富士通還計劃進一步擴展FRAM組合以滿足市場需求。憑借領(lǐng)先的技術(shù)開發(fā)和完善的制造工藝，富士通半導(dǎo)體不斷優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計，并加強與工廠間的密切合作，為向市場穩(wěn)定地提供高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。