新紀錄：日本學者研制出4Tbit/平方英寸存儲密度的鐵電存儲體

　　據美國物理研究所出版的《應用物理》雜志報道，日本東北大學的科學家們在試驗室中使用鐵電存儲技術將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit，達成了鐵電存儲體的新世界紀錄，如此等級的存儲密度要比現有最高級的磁記錄型硬盤的存儲密度要高上7倍左右。

　　這種數據存儲設備使用一個尖頂懸臂對鐵電體存儲材料進行讀寫操作。進行數據寫入時，向尖頂發送電脈沖，這種電脈沖可以改變對應位置的電子極性和電子所在區域周圍一小片圓型區域內硅基體的介電常數。進行數據讀取時，則使用尖頂來偵測附近區域介電常數的變化值來讀取數據。

　　負責該項目研究的Yasuo Cho博士稱：“我們希望這種鐵電體存儲系統，至少在需要極大數據存儲密度和對存儲器體積要求很小的應用場合下，能扮演取代磁硬盤和閃存存儲器的角色。“

　　在這項技術的早期研究過程中，研發者們曾經遇到過這樣的問題：當需要在這種鐵電體存儲材料上連片寫入位置連續的數據時，寫入時產生的極化區會彼此融合在一起，導致極化區的面積超過了預定的尺寸，影響到了周邊的存儲區域。為此研究者們開發出了另外一項補救技術，這種技術能夠預測這種連片寫入數據的行為，并在寫入此類數據時將發送給尖頂的電脈沖信號自動減小10%左右，這樣才解決了這個問題。

　　盡管鐵電體存儲技術具有無需磁技術或熱技術介入，僅需利用電學技術的優勢，但是要將這種存儲技術投入實用還需要作很大的努力，比如目前鐵電體技術的數據讀取速度和精度方面，以及鐵電體基體部分的成本方面便還沒有達到商用化的水平。不僅如此，傳統的存儲技術也一直在發展進步，其存儲密度甚至有可能會超過鐵電體，比如希捷公司便曾宣稱他們預計傳統存儲技術的數據存儲密度有望達到50Tbit/平方英寸。