電源管理詮釋節能

　　直面設計挑戰

　　幫助工程師提升電源設計效率，一直是半導體廠商與電源系統工程師最關注的問題。進一步提高能效依賴于半導體器件，電路拓撲結構和封裝技術的新發展或優化選取。

　　首先，從器件方面，功率型金屬氧化物場效應管(MOSFET)一直以來在小功率應用方面占主導地位。溝道柵極技術已普遍于低壓MOSFET以減小通態電阻從而降低損耗。而在未來幾年里，溝道柵極技術有向較高電壓MOSFET推廣的趨勢。所以這對于300V 以上的功率型MOSFET管是一個新變化。近些年來超結 (Super Junction) MOSFET發展也很快，對應于傳統的500V 以上的平面MOSFET在通態電阻和電流密度方面具有競爭力，但是它的動態開關特性還是弱于平面MOSFET，從而使高頻高電壓應用仍然偏向傳統型的MOSFET。另外寬禁帶MOSFET器件，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅(SiC) MOSFET 在研發中不斷取得的成就也表明這些新型的復合半導體器件會逐步走向商用化，極大提升系統能效，改變硅半導體目前在市場上的一統局面。

　　其次，工程師可以靈活運用各種各樣的拓撲結構以提高系統效率。像現在通信電源和服務器電源設備中常用的零電壓開關相移式全橋結構就是新拓撲加新控制的典范。在太陽能功率變換中，三電平二極管鉗位逆變器具有低成本、高效率的特點，作為一種新興的電路拓撲結構能在特定應用場合下提高能效。

　　最后，優化半導體器件或電路的封裝也是提高系統能效的一種積極手段。關于這點常常被人們忽視。優化的封裝可以直接改善電路中的雜散參數，例如寄生電感，從而優化電特性。實踐表明緊湊的封裝不僅減小電路體積，更重要的是能減小開關過程中的電壓電流尖峰。使用相對低電壓等級的器件將有利于減少損耗。另外，優化的封裝可改善系統散熱，以減低電路或器件的工作溫度，從而進一步降低損耗。

　　概括地說，從系統角度出發，認真選擇與優化器件，電路與封裝配合優化的控制方法就一定能最大限度地降低損耗，提升系統能效。

　　凌力爾特公司電源產品市場總監Tony Armstrong介紹，任何系統中的功耗都必須以兩種方式解決，首先，跨整個負載電流范圍最大限度地提高轉換效率，其次，降低 DC/DC 轉換器在所有工作模式時的靜態電流。因此，為了在降低系統功耗方面發揮積極作用，電源轉換和管理 IC 必須提高效率，也就是降低功耗，并在輕負載和休眠模式具有非常低的功耗水平。特別是很多大功率系統都采用多種單階轉換或兩階轉換方法的組合來應對有關的熱量問題。然而，系統設計師面臨著一個以哪種方式來滿足特定系統需求的難題。電壓不斷下降的同時提高電流的需求日益增加，這持續促進了很多這類大功率系統的開發。在這一領域取得的大多數進步都可以追溯到電源轉換技術領域的改進，尤其是電源 IC 和電源半導體的改進?？傊?，這些組件允許在對電源轉換效率影響最小的情況下提高開關效率，對提高電源性能做出了貢獻。這是通過降低開關和接通狀態的損耗、同時允許高效率去除熱量而得以實現的。不過，向較低輸出電壓遷移給這些參數施加了更大的壓力，這反過來又導致了極大的設計挑戰。