F-RAM與BBSRAM功能和系統設計之比較

　　引言

　　高性能和環保是當前技術創新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發展，同時也為全球眾多企業和消費者所耳熟能詳。

　　若系統設計需要采用半導體存儲器技術，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術。在從工廠自動化和電信到計量和醫療技術的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。

　　本文將闡釋F-RAM 和 BBSRAM存儲器之間的功能差異和設計差異。本文還會特別強調F-RAM如何能夠為設計人員提供具備成本優勢和更簡化的系統及維護的前瞻性的環保選擇方案。

　　在許多數據記錄應用中，BBSRAM存儲器都扮演了重負荷芯片的角色。BBSRAM易于使用，耐久性高，寫入速度快，但它的最大缺點是需要電池。而電池既給環境造成有害影響，也給設計和系統帶來障礙。

　　而F-RAM是一種成熟的半導體技術，具有寫入速度極快、耐久性高和功耗超低等特性。F-RAM固有非易失性的特點，性能堪比SRAM，卻又無需電池，這些都在設計和功能方面為工程師提供了顯著的優勢。

　　去掉電池還有助于工程師在系統設計中節省空間。只要采用F-RAM，就不必為擔心電池受標準焊接工藝損害而對之進行專門處理，從而節省成本。在當今環保意識高漲的全球文化氛圍中，F-RAM無需電池更換和處理工序，減少了電池帶來的污染，是一種更為環保的解決方案。

　　下文將對F-RAM 和 BBSRAM進行了比較分析，強調了這兩種存儲器選擇之間的功能和設計差異，以及它們對生態、成本和性能的相關影響。