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        Vishay推出新型降壓控制器IC

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        作者: 時間:2005-12-21 來源: 收藏
             Intertechnology日前推出兩款可與外部MOSFET共同運行的新型同步降壓。高壓SiP12201及低壓SiP12202均可在電池供電系統、電信及工業終端系統等廣泛應用中實現靈活、高效的電壓轉換,其同步降壓架構可實現以93%的效率進行電壓轉換,從而延長可電池使用時間,同時減少封閉的現場安裝或機架安裝系統中的熱量,以及降低對冷卻系統的需求。

          SiP12201的輸入電壓范圍介于4.2V~26V,而SiP12202的介于2.7V~5.5V。SiP12201與SiP12202 的可調輸出電壓范圍分別介于0.6V~20V和0.6V~5.5V。在低端達到0.6V的能力對于工作頻率為500kHz的器件而言是一種獨特功能,這一能力可確保SiP12201及SiP12202在未來十年中能夠滿足對預測可降至0.6V的更低電壓的需求。 

          高壓SiP12201同步降壓主要面向工業控制、無線及線纜調制解調器、機頂盒、液晶電視、電信電源與服務器以及負載點(POL)模塊,并可為各種終端產品中的微處理器、AS、FPGA及DSP提供穩壓電源。

          SiP12201能夠驅動同步轉換器中高端及低端的n通道MOSFET,并且通過允許使用兩個低成本n通道器件,而不是一個n通道和一個p通道器件,SiP12201有助于降低整體設計成本。SiP12201還具有工作頻率為500kHz的優點,這一優點可實現在轉換器設計中使用體積更小的無源元件。
         低壓SiP12202同步降壓控制器主要面向諸如手機等電池供電產品以及筆記本電腦與臺式電腦,以及使用負載點或分布式電源轉換器的其它系統中的電源轉換。為確保在低輸入電壓情況下實現持續的高效率,可將該控制器設為100%占空比。在電池電量不足的情況下,該器件還能夠通過轉向100%占空比作為低壓降(LDO)穩壓器運行。

          SiP12202可在低端驅動n通道MOSFET,以及在高端驅動p通道MOSFET。在高端使用p通道MOSFET可無需使用外部充電泵,同時還可簡化高端柵極驅動。高達500kHz的高頻率運行可允許使用更小的無源元件,以縮減終端系統的體積。

          由于提供了兼容的控制器與MOSFET器件,因此設計人員可獲得面向高壓及低壓降壓應用的全面解決方案。SiP12201是為與 Si7114DN n通道功率MOSFET配合使用而進行了優化,而SiP12202是為與Si7106DN p通道及Si7110DN n通道功率MOSFET配合使用而進行了優化。

          這兩種新型降壓控制器均包含補償/關斷引腳的組合,以及其它保護功能,例如欠壓鎖定、電源安全輸出、輸出電流限制及熱關斷。內部軟啟動功能可在啟動時防止出現電壓峰值。這兩款控制器均采用無鉛(Pb)MLP33-10封裝,并且工作范圍均規定為-40℃~+85℃。


        關鍵詞: IC Vishay 控制器

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