雷卯TVS和fuse助力DDR5 R-DIMM模組滿足JEDEC新靜電要求

DDR（Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率）是一種廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的高性能內(nèi)存技術(shù)，DDR的主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，移動(dòng)設(shè)備，嵌入式系臨時(shí)存儲(chǔ)和高速傳輸數(shù)據(jù)。因此，DDR是現(xiàn)代計(jì)算及移動(dòng)系統(tǒng)的核心組件。

隨著AI和大數(shù)據(jù)應(yīng)用的爆發(fā)，DDR5 R-DIMM的高帶寬（如5600 MT/s）和大容量（32GB）將成為關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，尤其在訓(xùn)練大型模型或處理實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)時(shí)，可顯著減少延遲。但JEDEC對(duì)DRAM 提出了一些新的要求。

一、JEDEC 對(duì) DRAM PCB 靜電的要求

JESD625C標(biāo)準(zhǔn)4:針對(duì)處理靜電放電敏感(ESDS)設(shè)備的要求，該標(biāo)準(zhǔn)提供了一系列的防護(hù)措施和管理流程。對(duì)于 DRAM PCB 而言，相關(guān)要求包括:

l 靜電放電控制措施：在生產(chǎn)、運(yùn)輸和使用過(guò)程中，要求采取防靜電包裝、使用防靜電工作臺(tái)、手腕帶和防靜電鞋等措施，以降低靜電對(duì) DRAM PCB 的潛在損害。

l 工作區(qū)設(shè)立:需要設(shè)立靜電控制區(qū)域，明確 ESD 敏感區(qū)域和非敏感區(qū)域的界定、標(biāo)識(shí)和管理。

l 設(shè)計(jì)建議:鼓勵(lì)設(shè)計(jì)者在電路設(shè)計(jì)中加入 ESD 保護(hù)機(jī)制，如靜電二極管，以增強(qiáng)電路板對(duì)靜電放電的抵抗能力。

JESD22-C101F 標(biāo)準(zhǔn)以此來(lái)評(píng)估 DRAM PCB 等微電子元件在遭遇靜電放電時(shí)的耐受能力。

JESD22-A114 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了集成電路和組件針對(duì)人體模型(HBM)靜電放電的測(cè)試方法和要求:JESD22-A115 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了擴(kuò)散模型(CDM)靜電放電的測(cè)試方法和要求。這些標(biāo)準(zhǔn)從不同角度對(duì)DRAM PCB 可能面臨的靜電放電情況進(jìn)行規(guī)范和測(cè)試指導(dǎo)。

隨著技術(shù)發(fā)展，一些新的 DRAM PCB 設(shè)計(jì)采用了更先進(jìn)的防護(hù)措施，如芝奇正在研發(fā)的由 16 層 PCB 打造的 DDR5 R-DIMM 模組，新增了瞬態(tài)電壓抑制器TVS二極管及保險(xiǎn)絲，以提升過(guò)電流保護(hù)并防止靜電放電。這也反映了 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)在推動(dòng)行業(yè)采用更可靠的防護(hù)技術(shù)方面的作用。

二、雷卯助行DDR5 R-DIMM 模組安全性

為防止瞬態(tài)電壓與靜電放電 (ESD)，R-DIMM 模組直接從主板獲取 12V 電壓輸入，因此需要先進(jìn)的保護(hù)機(jī)制。雷卯為每個(gè)模組均配備高質(zhì)量瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 二極管與SMT保險(xiǎn)絲。雙重保護(hù)機(jī)制確保模組具備卓越的耐用性與長(zhǎng)期穩(wěn)定的性能。

方案圖如下：

四． DDR5 R-DIMM的TVS二極管選擇及推薦型號(hào)

TVS選擇：選擇ESD保護(hù)器件的反向截止電壓（VRWM）略高于R-DIMM電源電壓，脈沖耐受能力可以選大一點(diǎn)。

TVS放置：TVS靠近電源輸入接口，確保ESD電流優(yōu)先通過(guò)TVS泄放至地。TVS置于濾波電感前端，防止電感阻礙ESD電流泄放。使用短而寬的走線連接TVS與電源/地。地平面完整，避免分割，采用多點(diǎn)接地降低阻抗。

以下列出常規(guī)DDR5電源電壓用TVS二極管，功率相對(duì)大，瞬態(tài)吸收電流大(IPP大），能有效抑制瞬態(tài)電壓和ESD靜電。

以上列出部分型號(hào)，如有其它電壓需求請(qǐng)聯(lián)系上海雷卯EMC小哥或銷售人員獲取支持。

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