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        電流倒灌是怎么產生的?它有什么危害?怎么解決?

        發布人:leeseng 時間:2023-10-30 來源:工程師 發布文章
        1.電流倒灌產生機理和危害

        一、概念

               倒灌就是電流流進IC內部。電流總是流入電勢低的地方,比如說電壓源,一般都是輸出電流,但是如果有另一個電源同時存在,并且電勢高于這個電源,電流就會流入這個電源,稱為倒灌。

        二、危害

        1. 電流太大會將使IO口上的鉗位二極管迅速過載并使其損壞。

        2. 會使單片機復位不成功。

        3. 會使可編程器件程序紊亂。

        4.會出現閂鎖效應。

        三、原因

        STM32的IO口框圖


               當兩個單片機進行串口通信,如果其中一個單片機斷電,另一個單片機繼續供電,正常運行。那么沒有斷電的單片機的IO口給斷電的單片機的IO口供電,并同通過上拉保護二極管向斷電的單片機進行供電。或者說兩個單片機供電電壓不一樣,電流就會從供電高的一方流向供電低的一方。

        (也就是上圖中的VDD會被抬高)

        2.電流倒灌解決措施


        ?方法1:加一個串阻

        串聯限流電阻


               加一個小電阻,可以防止過流損壞二極管D1,還可以進行阻抗匹配,因為信號源的阻抗很低,跟信號線之間阻抗不匹配,串上一個電阻后,可改善匹配情況,以減少反射,避免振蕩等。也可以減少信號邊沿的陡峭程度,從而減少高頻噪聲以及過沖等。但不能解決灌流在Vcc上建立電壓。一般情況下就會選擇串阻,取值范圍是幾歐到1K歐,根據實際情況而定,小編我喜歡取330歐。

        ?方法2:加串阻和二極管

        串聯反向二極管


               在信號線上加二極管D3及上拉電阻R1,D3用于阻斷灌流通路,R1解決前級輸出高電平時使G1的輸入保持高電平(因為二極管有壓降)。此方法既可解決灌流損壞二極管D1的問題,又可解決灌流在Vcc上建立電壓。缺點只適用于速率不快的電路上。如果單片機IO口比較脆弱,或者兩邊電壓不也一樣需要低成本進行電平轉換,且是單一方向,速率比較低(比如串口)的時候就可以選擇該方案。二極管要選擇肖特基二極管才比較好

        ?方法3:加一個Buffer

        這是我們部門最常用和有效的做法。

        部門一般用的是這種帶開漏輸出的Buffer,除了防倒灌外,其還可以通過改變輸出端的電壓,實現電平轉換(比如輸出端5V)

        (TI的SN74AUP2G07)


        注意,如果是下面這種非開漏輸出的buffer,那么輸出端的高電平是由buffer的供電電源決定的。(如TI的SN74AUC2G126)


        PS:Buffer的其他作用

        1.提高驅動能力 Buffer是一種寬高比很大的mos管,寬高比大意味著電流大,驅動能力高。在扇出很大的wire中插入buffer可以提高帶負載能力,常見于時鐘樹中。 2.確保信號時序正確 當一條wire很長時,延遲很大(delay正比于長度的平方,設長度為1,delay為1),這時在中間插入buffer,wire delay變為1/4+1/4=1/2,只要buffer delay小于1/2,則buffer的插入可以縮短wire delay。 當一條wire的延遲不大時,如果有hold violation(表現為數據到達過快,需要滯后到達),則插入buffer,利用buffer delay可以修正這個hold violation。

        參考文獻:

        1.https://baijiahao.baidu.com/s?id=1672639828536982382&wfr=spider&for=pc


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