佳能的5nm光刻機，什么技術？

在 2023 年 10 月 13 日的突破性公告中，佳能推出了 FPA-1200NZ2C 納米壓印光刻系統，這是一種尖端半導體制造技術，有望徹底改變行業。經過多年的深入研究和開發，取得了這一重大進展，標志著半導體制造向前邁出了關鍵一步。

納米壓印光刻 (NIL) 代表了極紫外光刻 (EUV) 的替代技術，當前最先進的技術滿足 5 納米工藝要求，下一步將突破至 2 納米。佳能推出 FPA-1200NZ2C 標志著佳能進軍這一領域的大膽舉措，擴大了其半導體制造設備陣容，以滿足從先進半導體設備到更傳統半導體設備的廣泛用戶需求。

納米壓印光刻如何工作？

與傳統的光刻技術不同，傳統的光刻技術依賴于將電路圖案投影到涂有抗蝕劑的晶圓上，納米壓印光刻技術采用了不同的方法。它通過將印有所需設計的掩模壓到晶圓上的抗蝕劑上來轉移電路圖案，類似于使用印章。這種獨特的方法消除了對光學機制的需求，確保精細電路圖案從掩模到晶圓上的忠實再現。這一突破允許在單個壓印中創建復雜的二維或三維電路圖案，從而可能降低擁有成本 (CoO)。

此外，佳能的納米壓印光刻技術可以實現最小線寬為14 nm的半導體器件圖案化。這相當于生產當今最先進的邏輯半導體所需的 5 納米節點。隨著掩膜技術的不斷進步，NIL 預計將進一步突破極限，實現最小線寬為 10 nm 的電路圖案，這對應于雄心勃勃的 2 nm 節點。這說明了這項技術背后令人難以置信的精度和創新。

正在運行的 FPA-1200NZ2C

精度和污染控制

FPA-1200NZ2C系統的關鍵進步之一是集成了新開發的環境控制技術，可有效最大限度地減少設備內細顆粒的污染。這對于實現高精度對準至關重要，特別是對于層數不斷增加的半導體的制造而言。減少細顆粒造成的缺陷對于半導體生產至關重要，佳能的系統在這方面表現出色。它能夠形成復雜的電路，有助于創造尖端的半導體器件。

環境和能源效益

除了技術能力之外，FPA-1200NZ2C 系統還具有環保優勢。與目前最先進邏輯半導體（15 nm 線寬的 5 nm 節點）的光刻設備相比，精細電路圖案化不需要特定波長的光源，從而顯著降低了功耗。這不僅代表了能源效率的福音，而且也符合全球減少碳足跡的努力，為更綠色的未來做出貢獻。

分光元件，具有三維微結構的光學元件，采用NIL工藝制成

多功能性和未來應用

FPA-1200NZ2C 系統的范圍超出了傳統的半導體制造。它可用于廣泛的應用，包括生產用于擴展現實（XR）設備的超透鏡，其微結構在數十納米范圍內。這種適應性展示了該技術推動多個行業創新的潛力。

總而言之，佳能推出納米壓印光刻技術是半導體制造技術的重大飛躍。憑借其精度、污染控制、環境效益和多功能性，它有潛力塑造半導體生產的未來并將其影響范圍擴展到各個領域。隨著我們接近2nm 節點，這項技術可能成為半導體創新新時代的基石。