全球首發(fā) | 全新一代SiC晶體生長熱場材料

隨著導(dǎo)電型SiC襯底的逐漸量產(chǎn)，對工藝的穩(wěn)定性、可重復(fù)性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制，爐內(nèi)熱場微小的調(diào)整或漂移，都會帶來晶體的變化或缺陷的增加。后期，更要面臨“長快、長厚、長大”的挑戰(zhàn)，除了理論和工程的提高外，還需要更先進(jìn)的熱場材料作為支撐。

因此，「用」先進(jìn)材料，「長」先進(jìn)晶體勢在必行。

但是，熱場中坩堝的材料，石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等使用不當(dāng)，會帶來碳包裹物增多等缺陷。另外在有些應(yīng)用場合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開孔來增加透氣率。再者，透氣率大的多孔石墨，面臨加工、掉粉、蝕刻等挑戰(zhàn)。

基于此，恒普科技全球首發(fā)全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭。

據(jù)恒普科技透露，碳化鉭的強(qiáng)度和硬度都很高，做成多孔狀，更是挑戰(zhàn)。做成孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰(zhàn)。

恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化鉭，孔隙率最大可以做到75%，處于國際領(lǐng)先水平。

該多孔碳化鉭可應(yīng)用在氣相組元過濾，調(diào)整局部溫度梯度，引導(dǎo)物質(zhì)流方向，控制泄露等環(huán)節(jié)。值得一提的是，多孔碳化鉭還可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導(dǎo)的構(gòu)件。此外，部分構(gòu)件可以重復(fù)使用，降低了耗材的使用成本。

▌技術(shù)參數(shù)

◎ 孔隙率  ≤75%  （國際領(lǐng)先）

◎ 形狀：片狀、筒狀 （國際領(lǐng)先）

◎ 孔隙度均勻