全球首發 | 全新一代SiC晶體生長熱場材料

隨著導電型SiC襯底的逐漸量產，對工藝的穩定性、可重復性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制，爐內熱場微小的調整或漂移，都會帶來晶體的變化或缺陷的增加。后期，更要面臨“長快、長厚、長大”的挑戰，除了理論和工程的提高外，還需要更先進的熱場材料作為支撐。

因此，「用」先進材料，「長」先進晶體勢在必行。

但是，熱場中坩堝的材料，石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等使用不當，會帶來碳包裹物增多等缺陷。另外在有些應用場合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開孔來增加透氣率。再者，透氣率大的多孔石墨，面臨加工、掉粉、蝕刻等挑戰。

基于此，恒普科技全球首發全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭。

據恒普科技透露，碳化鉭的強度和硬度都很高，做成多孔狀，更是挑戰。做成孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰。

恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化鉭，孔隙率最大可以做到75%，處于國際領先水平。

該多孔碳化鉭可應用在氣相組元過濾，調整局部溫度梯度，引導物質流方向，控制泄露等環節。值得一提的是，多孔碳化鉭還可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導的構件。此外，部分構件可以重復使用，降低了耗材的使用成本。

▌技術參數

◎ 孔隙率  ≤75%  （國際領先）

◎ 形狀：片狀、筒狀 （國際領先）

◎ 孔隙度均勻