瀚天天成、廈門士蘭等碳化硅項目被列為廈門市2023年市重點項目名單

來源：碳化硅芯觀察

近日，廈門市人民政府公布2023年市重點項目名單。2023年廈門市重點項目461個，總投資11939.37億元，年度計劃投資1406.34億元。

其中，產業項目161個，年度計劃投資466.51億元；社會事業項目155個，年度計劃投資214.13億元；基礎設施項目134個，年度計劃投資416.66億元；新城配套項目11個，年度計劃投資309.03億元。從名單看，包括翔安區“6-8英寸SiC外延晶片研發與產業化項目”、 海滄區“SiC功率器件生產線建設項目”。

其中，6-8英寸SiC外延晶片研發及產業化項目實施主體為瀚天天成電子科技（廈門）有限公司，項目選址于廈門市翔安高新技術產業基地，新增75條碳化硅外延晶片生產線（配套尾氣凈化器）、1套純水機組及其他生產設備，預計新增產能年產碳化硅外延晶片30萬片。

2022年8月4日，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司以2610萬元競得翔安區2022XG09-G工業用地。

2022XG09-G地塊衛星圖

據了解，瀚天天成2012年完成一期投產，一期規劃產能約6萬片/年，2014年5月29日，瀚天天成首批產業化的6英寸碳化硅外延晶片在廈門火炬高新區投產，并交付第一筆商業訂單產品。

2022年4月，瀚天天成碳化硅產業園二期竣工，二期規劃投資為13.4億，公司目前約28-30條線。到2022年底，公司以50多條產線將成為全球最大規模的純碳化硅外延片生產商，預計產能達20萬片/年。2022年銷售預計11萬片，實現產值約11億元。2023達產后，預計可實現24億元銷售。

另一個海滄區的SiC 功率器件生產線建設項目實施主體為士蘭微的參股子公司士蘭明鎵，項目建設地點為福建省廈門市海滄區。

該項目在士蘭明鎵現有芯片生產線及配套設施的基礎上，通過購置生產設備提升 SiC 功率器件芯片的產能，用于生產 SiCMOSFET、SiC SBD 芯片產品。

項目達產后，將新增 SiC MOSFET 芯片 12 萬片/年、SiC SBD 芯片 2.4 萬片/年的生產能力。

2022年10月，士蘭明鎵SiC功率器件生產線實現初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。

士蘭微表示，士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片/月6 英寸SiC芯片的生產能力。