瀚天天成、廈門士蘭等碳化硅項(xiàng)目被列為廈門市2023年市重點(diǎn)項(xiàng)目名單

來源：碳化硅芯觀察

近日，廈門市人民政府公布2023年市重點(diǎn)項(xiàng)目名單。2023年廈門市重點(diǎn)項(xiàng)目461個，總投資11939.37億元，年度計(jì)劃投資1406.34億元。

其中，產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目161個，年度計(jì)劃投資466.51億元；社會事業(yè)項(xiàng)目155個，年度計(jì)劃投資214.13億元；基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目134個，年度計(jì)劃投資416.66億元；新城配套項(xiàng)目11個，年度計(jì)劃投資309.03億元。從名單看，包括翔安區(qū)“6-8英寸SiC外延晶片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、 海滄區(qū)“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。

其中，6-8英寸SiC外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目實(shí)施主體為瀚天天成電子科技（廈門）有限公司，項(xiàng)目選址于廈門市翔安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地，新增75條碳化硅外延晶片生產(chǎn)線（配套尾氣凈化器）、1套純水機(jī)組及其他生產(chǎn)設(shè)備，預(yù)計(jì)新增產(chǎn)能年產(chǎn)碳化硅外延晶片30萬片。

2022年8月4日，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司以2610萬元競得翔安區(qū)2022XG09-G工業(yè)用地。

2022XG09-G地塊衛(wèi)星圖

據(jù)了解，瀚天天成2012年完成一期投產(chǎn)，一期規(guī)劃產(chǎn)能約6萬片/年，2014年5月29日，瀚天天成首批產(chǎn)業(yè)化的6英寸碳化硅外延晶片在廈門火炬高新區(qū)投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品。

2022年4月，瀚天天成碳化硅產(chǎn)業(yè)園二期竣工，二期規(guī)劃投資為13.4億，公司目前約28-30條線。到2022年底，公司以50多條產(chǎn)線將成為全球最大規(guī)模的純碳化硅外延片生產(chǎn)商，預(yù)計(jì)產(chǎn)能達(dá)20萬片/年。2022年銷售預(yù)計(jì)11萬片，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值約11億元。2023達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)24億元銷售。

另一個海滄區(qū)的SiC 功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目實(shí)施主體為士蘭微的參股子公司士蘭明鎵，項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)為福建省廈門市海滄區(qū)。

該項(xiàng)目在士蘭明鎵現(xiàn)有芯片生產(chǎn)線及配套設(shè)施的基礎(chǔ)上，通過購置生產(chǎn)設(shè)備提升 SiC 功率器件芯片的產(chǎn)能，用于生產(chǎn) SiCMOSFET、SiC SBD 芯片產(chǎn)品。

項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將新增 SiC MOSFET 芯片 12 萬片/年、SiC SBD 芯片 2.4 萬片/年的生產(chǎn)能力。

2022年10月，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。

士蘭微表示，士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片/月6 英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。