10億！長光華芯子公司擬建先進化合物半導體光電子平臺

來源：化合物半導體市場

據公告，項目計劃投資額10億元，計劃建設總建筑面積約46,293平方米的生產中心、研發中心和動力站及配套設施，項目計劃2023年開工，2025年建成投產，本項目預計年產值不低于6億元。

據悉，該項目將形成年產1億顆芯片、500萬器件的能力，具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測器芯片的產線建設及器件封裝能力，具備其他高功率半導體激光器芯片等功率芯片研發、封測能力(包括6-8英寸器件封測生產線建設)。

長光華芯成立于2012年3月，是半導體激光行業的垂直整合廠商，專注于半導體激光芯片、器件及模塊等的研發、制造及銷售，公司曾獲華為哈勃投資。

目前，與蘇州高新區政府共建了蘇州半導體激光創新研究院為平臺，現已形成由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構成的四大類、多系列產品矩陣，主要產品包括高功率單管系列產品、高功率巴條系列產品、高效率VCSEL系列產品及光通信芯片系列產品等。

產能方面，目前長光華芯擁有砷化鎵、磷化銦和氮化鎵三大材料體系，2英寸GaN激光器研發能力以及3英寸磷化銦和6英寸砷化鎵激光器的生產線。

今年8月，蘇州長光華芯半導體研究院項目完工啟用。預計項目投用后，長光華芯的高功率半導體激光芯片量產規模進一步擴大，生產產能將提升5-10倍。

業績方面，2022年前三季度，公司實現營業總收入3.17億元，同比下降0.35%；歸母凈利潤9487.81萬元，同比增長22.66。

值得注意的是，今年11月，蘇州半導體激光創新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯合實驗室”在蘇州長光華芯正式揭牌成立。

12月，長光華芯順利通過IATF16949:2016質量管理體系認證，為公司擴展汽車激光雷達市場奠定了基礎。（文：化合物半導體市場 Doris整理）