116億GaN項目落地

來源：化合物半導體市場

GaN作為第三代半導體領域的“潛力股”之一，已經成為半導體、消費電子、汽車、光伏儲能、智能電網、衛星通信、國防安全等跨領域的必爭之地，近幾年來吸引了無數投資者的青睞，相關項目接連簽約落地、開工、投產，市場產能規模不斷擴大。近期，又有一個GaN項目落地，投資規模超百億元。

12月11日，西咸新區涇河新城消息顯示，陜西省西咸新區涇河新城與江西譽鴻錦材料科技有限公司（以下簡稱：譽鴻錦）在北京簽訂戰略合作框架協議：總投資116億元的西安第三代化合物半導體芯片與器件產業化項目正式落戶涇河新城。

據悉，西安第三代化合物半導體芯片與器件產業化項目將GaN為核心內容，建立第三代化合物半導體研發中心，開展GaN基半導體核心技術攻關、新品研發等工作。項目達產后，可實現年產值500億元，實現年上繳稅收約25億元。

該項目的主體方是譽鴻錦，天石基金管理（深圳）有限公司也將對項目進行注資。譽鴻錦是成立于2021年1月的GaN IDM初創企業，位于江西省撫州市撫州高新技術產業開發區，注冊資本1.16億元，由深圳譽鴻錦芯科技合伙企業（有限合伙）100%持股，旗下擁有三家子公司。

譽鴻錦的主營業務是GaN系列第三代半導體材料的MOCVD外延生長、電子器件和光電器件芯片流片研發制造、器件及模組的封裝制造等全產業鏈的研發和生產，產品覆蓋SBD、HEMT、射頻/功率放大器、UVC LED等，面向新能源汽車、數據中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。

旗下子公司譽鴻錦芯片規劃建設第三代半導體芯片全產業鏈項目，該項目主要從事GaN電子材料和高端光電材料的MOCVD外延生長及器件流片、模組的研發和生產制造。該項目總投資50億元，一期已投入9億元，建成后將形成年產能60萬片，年產值30億人民幣規模。二期投入41億元，建成后將形成年產能300萬片，年產值100億人民幣規模。（文：化合物半導體市場 Jenny整理）