VM系列振弦采集模塊電源接口詳細說明

VM系列振弦采集模塊電源接口詳細說明

VMXXX 模塊有多個電源接口，分別為： 寬電壓電源輸入（ VIN）、內核電源（ VDD）、 參考電壓源（ VREF）、 振弦傳感器激勵電源（ VSEN）， 各電源共用 GND。

電源輸入（ VIN）： 寬電壓 VIN 管腳為模塊供電（ DC5~15V），推薦電壓為 6.0V~10.0V， VIN 可產(chǎn)生內核電源 VDD， 當使用 VIN 管腳為模塊供電時， VDD 管腳為輸出,輸出能力為 200mA， 盡量不要使用 VDD 輸出過大電流，以免影響模塊內核的正常工作。

內核電源（ VDD）： 可由 VIN 產(chǎn)生，當不使用 VIN 時，此管腳作為電源輸入， 需要外接 DC3.3V電源。 模塊工作時峰值電流約為 100mA，建議使用輸出能力 200mA 或以上的電壓源。 VMXXX 模塊

內部有電壓校準機制，對 VDD 電壓值無嚴格要求。

參考電壓（ VREF）： 此管腳為輸入，應直接連接到 VDD（無需精準的參考電壓源）。

激勵電源（ VSEN）： VSEN 為傳感器激勵過程提供電能，當采用高壓激勵方法時， VSEN 作為泵壓源， 一般情況下 VSEN 電壓越高則可獲取的激勵電壓也越高； 當采用低壓掃頻激勵方法時，VSEN電壓即是掃頻電壓。 建議采用200mA 或以上的電壓源為VSEN供電，供電電壓推薦為DC8V~12V。

注意： VMx1x 模塊時， VSEN 可選擇是否在內部連接于 VIN，請在確認后再使用 VSEN。請?zhí)貏e注意電源的設計。 振弦傳感器返回信號為微弱的正弦波， 為減少電源紋波對傳感器信號的影響，建議所有電源均使用紋波較小的 LDO 穩(wěn)壓器。 當使用交流電轉直流的供電方式時，模塊地線（ GND）一定要可靠接地（大地）， 某些低端的交流轉直流適配器會將交流干擾引入，嚴重影響模塊信號處理質量，甚至完全無法使用。

建議靠近電源管腳（ VDD 尤其重要） 使用一個 10μF 鉭電容（低 ESR)和一個 0.1μF 的陶瓷電容并聯(lián)。增加并聯(lián)的電容可以有效去除高頻干擾。同時為防止浪涌對芯片的損壞，建議在模塊電源輸入管腳使用一個適合電壓的 500mW 的齊納二極管防止模塊的超壓損壞。 PCB 布局時，電容和二極管應盡可能靠近模塊的電源輸入管腳。

電源連接示意：

參數(shù)復位管腳

RST 管腳為雙向管腳， 在不同運行階段具有不同功能：

上電啟動時 RST 管腳為輸入，當檢測到管腳為低電平時復位參數(shù)為出廠值。詳見“3.3 恢復出廠參數(shù)” 。在啟動完成后此管腳為 IIC-SDA 功能。VMx0x 模塊的 RST 管腳未連接上拉電阻，為了防止上電時參數(shù)復位，外部必須連接2k~4.7k 上拉電阻，其它型號模塊此管腳已內置了 4.7k 上拉電阻。