存儲巨頭們對技術未來的看法
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Techinsights首先指出，在 FMS2022 上，所有與會者慶祝了一個重要的里程碑，即 NAND 閃存發(fā)明35周年。今年會議的關鍵詞似乎是 ：
- CXL-Memory (CXL-DRAM, CXL-NAND),
- Optane XPoint Memory 倒閉,
- 新的和下一代 2XX 3D NAND 產品,
- Chiplets,
- 基于ZNS的存儲系統(tǒng)。
在 3D/4D NAND 和 SSD 技術方面，行業(yè)領導者在主題演講中宣布了他們的新產品和芯片樣品，當中包括了三星、SK 海力士/Solidigm、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和長江存儲。從主題演講中要知道的一些事情1.三星重點介紹了推動大數(shù)據(jù)市場的 4 個技術進步領域；數(shù)據(jù)移動、數(shù)據(jù)存儲、數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)管理。三星宣布推出“內存語義 SSD”，它結合了存儲和 DRAM 內存、AI 和 ML 優(yōu)化存儲的優(yōu)勢。該公司于 5 月開發(fā)的業(yè)界首款 UFS 4.0 移動存儲推出。計劃于本月開始量產。三星強調了 SmartSSD 和 CXL DRAM，它們旨在避免當前內存和存儲架構的瓶頸。
2.SK 海力士最近于 7 月向客戶交付了第一款 V8 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，預計將于 2023 年開始量產。SK 海力士正在開發(fā) 1Tb 的238 層產品。該公司還推出了首個基于 DDR5 DRAM 的 CXL 樣品。Solidigm 推出了配備 144L-Q 的 P41 plus SSD。他們還在主題演講中展示了世界上第一個工作的 Penta-Level Cell (PLC) SSD 芯片樣品，其 192L-Q 首次能夠在每個存儲單元存儲 5 位數(shù)據(jù)，相同占用空間內的數(shù)據(jù)增加 25%與四級單元 (QLC) SSD 相比。
3.鎧俠推出基于MLC（2bit/cell）BiCS FLASH的第二代XL-FLASH單片機解決方案。第一代是基于 SLC 的。Gen2 XL-FLASH 的內存容量為 256Gb/die。產品樣品發(fā)貨計劃于 11 月開始，預計 2023 年開始量產。
4.長江存儲推出X3-9070 TLC 3D NAND Flash樣品產品，搭載Xtacking 3.0 Architecture, 4th gen。3D NAND（1Tb TLC 芯片， 232L 6 平面設計）。
關于英特爾最近宣布退出的 Optane XPoint Memory，F(xiàn)MS 2022 大會上召開了特別會議。Chuck Sobey（FMS 會議主席）和一些分析師（Tom Coughlin、Jim Handy 和 Dave Eggleston）與一些英特爾人員一起回顧了它的歷史、業(yè)務和問題。
簡而言之，Optane（XPoint Memory）性價比不高，不會成為未來產品的一部分。盡管 Optane XPoint Memory 正在逐漸減少，但它奠定了持久內存的價值，并被用于設計和制造創(chuàng)新的存儲系統(tǒng)。此外，它確實有助于推動 CXL 接口存儲器技術的發(fā)展。會議上的一些經驗教訓和討論
- XPoint 是全新的 PCM
- 自 2016 年以來，英特爾傲騰 DIMM 和持續(xù)內存損失總計超過 70 億美元
- 光刻和產品成本限制了 XPoint 兩層或四層堆疊，這導致難以實現(xiàn)更高密度（不再是 Gen3）
- 連貫持久記憶的價值有限
- 例如，與微軟的有限合作伙伴關系失敗了
- CXL接口SSD未來可能會取代Optane持久內存或SCM（Storage Class Memory）市場
- NAND 的未來是 NAND（不會被任何 EM/XPoint 取代）
- DRAM 的未來是 DRAM（不會被任何 EM/XPoint 取代）
- 記憶墻是真實的，而且越來越糟
- 三星和 SK 海力士考慮成本和市場需求的不僅僅是揭示新技術節(jié)點，這與美光不同。
- 計算存儲/內存正在變得流行
- CXL將成為存儲和數(shù)據(jù)中心的主流
- MRAM 在嵌入式設備中越來越普遍
- FLASH+HDD等混合存儲系統(tǒng)仍未死
- 元數(shù)據(jù)管理越來越重要
- Optane XPoint 內存已不復存在，CXL-DRAM/NAND 內存將取而代之，用于 SCM 應用。
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