新潔能擬募資14.5億元，提前布局SiC/GaN功率器件領域

據披露，新潔能此次募集資金在扣除發行費用后的募集資金凈額全部用于投資第三代半導體SiC/GaN功率器件及封測的研發及產業化項目、功率驅動IC及智能功率模塊（IPM）的研發及產業化項目、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規級）的研發及產業化項目及補充流動資金。
當前，半導體分立器件產業正在發生深刻的變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導體受到行業關注，被廣泛應用于新能源車、軌道交通、5G****、航空航天等領域。
《2020“新基建”風口下第三代半導體應用發展與投資價值白皮書》指出，2019年我國第三代半導體市場規模為94.15億元，預計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年市場規模將達到623.42億元。
而另一方面，目前美歐、日韓及臺灣等地區已經實現SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產。國內行業內企業亦依托國家產業政策的重點扶持，也已開始布局新型半導體材料領域。
新潔能表示，通過本募投項目的實施，有助于公司順應半導體功率器件行業發展趨勢，提前布局SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件產品，實現公司產品結構升級，從而進一步強化公司在半導體功率器件高端應用市場的核心競爭力，縮小與國際半導體功率器件一流企業的技術差距，從而提高國際競爭力。
來源：全球半導體觀察