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        聯電:四十年發展之路

        發布人:xinsixiang 時間:2020-08-17 來源:工程師 發布文章

          聯華電子為全球半導體晶圓專工業界的領導者,提供高質量的晶圓制造服務,專注于邏輯及特殊技術,為跨越電子行業的各項主要應用產品生產芯片。聯電完整的制程技術及制造解決方案,包括邏輯/射頻、嵌入式高壓解決方案、嵌入式快閃存儲器、RFSOI/BCD,以及所有晶圓廠皆符合汽車業的 IATF-16949 制造認證。

          聯電現共有十二座晶圓廠,策略性地遍及亞洲各地,制程技術范圍由 5 微米至 0.11 微米,提供客戶多樣應用的選擇,并可提供客制化制程,以因應快速演進的市場,服務日益增加的半導體芯片需求。

          聯電擁有4座營運中的先進12英寸晶圓廠。位于臺南的Fab 12A于2002年進入量產,目前已運用先進14及28納米制程為生產客戶產品,研發制造復合廠區由三個獨立的晶圓廠,P1&2、P3&4以及P5&6廠區組成,月產能目前超過 87000片;位于新加坡白沙晶圓科技園區Fab 12i為聯電特殊技術中心,于12英寸特殊制程的生產制造上,提供客戶多樣化的應用產品所需IC,目前月產能達50000片;位于中國廈門的聯芯FAB12X,已于2016年第4季度開始量產,其總設計月產能為 50000片,目前月產能接近20000片;位于日本三重縣USJC月產能33000片,提供最小至40納米的邏輯和特殊技術。除了12英寸廠外,聯電還擁有的七座8英寸廠與一座6英寸廠,每月總產能超過750000片約當8英寸晶圓。

          開疆拓土

          1980年5月22日,聯電(聯華電子;United Microelectronics Corporation;UMC)從臺灣工研院分拆成立,杜俊元出任第一任總經理。作為臺灣首家民營集成電路公司,成立之初的聯電主要生產電子表、計算器與電視用集成電路(IC)。聯電也是臺灣第一家提供晶圓專業代工服務的公司。

          1982年4月,聯電建成臺灣首條4英寸晶圓生產線(工廠代號UMC1)。

          1982年11月,聯電達損益平衡,

          1982年,聯電全年實現營收達新臺幣1.9億,員工380人。

          1983年6月,聯電月銷售額首度突破新臺幣1億元。

          1983年,聯電全年實現營收增至11億,員工610人。

          1984年,聯電成立研發部門,自主進行產品和工藝的研發,走上良性成長階段。

          1985年7月16日,聯電股****在臺灣證券交易所公開上市,代號:2303。

          1989年,聯電6英寸晶圓生產線投產(工廠代號UMC2,現FAB 6)

          1993年6月10日,聯電分拆知識產權(IP)和NRE部門成立智原科技(Faradry;1999年10月27日上市,代號:3035)。

          1994年,聯電完成0.5微米制程研發。

          艱難轉型

          1995年7月,聯電轉型為純晶圓代工(Foundry)公司。

          1995年7月,聯電和Alliance、S3合作成立聯誠半導體(United Semiconductor Corp.,USC),是現在的FAB 8B廠。

          1995年8月,聯電與Trident、ATi、ISSI等七家公司合作成立聯瑞科技(United Integrated Circuits Corporation,UICC),是現在的FAB 8D廠。

          1995年9月,聯電和兩家IC設計公司合作成立聯嘉積體電路(United Silicon Incorporated Corp.,USIC),是現在的FAB 8C廠。

          1995年9月,聯電8英寸晶圓廠(原UMC3,現在FAB 8A)開始生產。

          1996年1月,聯電0.35微米制程開始生產(聯嘉二廠)。

          1996年5月29日,聯電將計算機事業部門分拆成立聯陽半導體(ITE;2002年10月24日上市,代號:3014)。聯陽早期專注于臺式電腦(PC)及筆記型電腦(NB)控制芯片的開發設計,后并購聯盛半導體、繪展科技、晶瀚科技,使得公司擴充了快閃存儲器控制芯片、數字電視接收控制芯片、多媒體控制芯片以及模擬芯片等新的產品線。

          1996年8月16日,聯電將通訊事業部門分拆成立聯杰國際(DAVICOM Semiconductor;2007年8月6日上市,代號:3094)。

          1997年5月28日,聯電將多媒體事業部門分拆成立聯發科技(MediaTek;2001年7月23日上市,代號:2454),包括蔡明介在內的20多人的初始團隊從CD-ROM芯片開始出發。

          1997年5月28日,聯電將消費性部門分拆成立聯詠科技(Novatek;2001年4月24日上市,代號:3034)。

          1997年7月,聯電將內存事業部門分拆成立聯笙電子(AMIC)。

          1997年10月,聯電0.25微米制程開始生產。

          1998年4月,聯電收購合泰半導體(現盛群半導體,Holtek)的8英寸晶圓廠(現FAB 8E)。

          1998年5月,聯電UMC5(現FAB 8F)動工興建。

          1998年12月,聯電收購新日鐵半導體(1999年中文名稱更名為聯日半導體株式會社,2001英文名稱更名為 UMC Japan),成為日本唯一少量多樣生產模式的晶圓代工廠。

          1999年1月,聯電單月營收首度超過新臺幣20億。

          1999年3月,聯電0.18微米制程開始生產。

          1999年11月,聯電南科12英寸晶圓廠正式建廠。

          世紀曙光

          2000 年1月3日,聯電、聯誠、聯瑞、聯嘉、合泰等合并成立聯電集團;張崇德、溫清章就任總經理。

          2000年1月,聯電集團單月營收首度超過新臺幣60億。

          2000 年3月27日,聯電宣布產出業界首批銅制程芯片,首個芯片是賽靈思(Xilinx)的FPGA產品。

          2000 年5月12日,聯電宣布產出第一顆 0.13微米制程芯片,產品是2M SRAM。

          2000 年9月19日,聯電在紐約證券交易所發行9000萬單位存托憑證(代碼:UMC),成為第一家在紐交所上市的臺灣半導體公司。共募集13億美元,創下臺灣公司在紐約證券交易所首度上市的交易金額紀錄。

          2000年10月27日,聯電FAB 12A廠舉行上梁典禮,預定2001年Q3投產。

          2000年12月1日,聯電和日立合資的Trecenti的12英寸晶圓廠成功產出全球第一批12英寸代工晶圓。首批產品是0.18微米制程的4M和8M SRAM。

          2000 年12月15日,聯電宣布投資36億美元和英飛凌于新加坡合資籌建12英寸晶圓制造廠(UMCi)。

          2000年,聯電全年營收首度超過新臺幣1000億。

          2001年4月12日,聯電旗下新加坡12英寸晶圓廠動工。

          2002年4月1日,聯電宣布宣明智接替曹興誠擔任首席執行官。

          2002年2月,聯電退出和日立合資的Trecenti。

          2003年1月,聯電新加坡12英寸晶圓廠進行裝機。

          2003年3月,聯電產出第一顆90納米制程IC。

          2003年7月15日,聯電宣布胡國強博士接替宣明智先生擔任首席執行官。

          2004年3月,聯電旗下新加坡12英寸晶圓廠邁入量產階段。

          2004年5月,聯電90納米制程完全通過驗證并邁入量產。

          2004年6月,聯電單月營收首度超過新臺幣100億

          。

          2004年7月,聯電并購硅統半導體的8英寸晶圓制造廠,是現在的FAB 8S廠。

          2004年12月,聯電正式收購旗下子公司UMCi,并改名為 Fab 12i。

          2005年6月,聯電產出業界第一顆 65納米芯片。

          2005年8月,聯電90納米晶圓出貨量逾10萬片。

          2006年6月,聯電成為全球第一家全公司所有廠區均完成QC-080000 IECQ HSPM認證之半導體制造商。

          2006年11月,聯電產出第一顆45納米制程測試芯片。

          2007年1月,聯電擴大位于臺南科學園區的生產研發基地。

          2007年5月22日,聯電位于臺南的新研發大樓建成。

          2007年8月17日,聯電設立首設COO陪伴,由孫世偉副總裁兼任。負責12英寸晶圓廠的營運。

          2008年7月16日,聯電宣布洪嘉聰為新任董事長,任命孫世偉為執行長。

          2008年10月,聯電產出晶圓代工業界第一個28納米制程SRAM芯片。

          2009年4月,聯電產出40納米芯片。

          2009年12月,聯電正式收購日本子公司UMCJ。

          2010年12月,聯電南科12A廠第三期進入量產。

          2011年10月,聯電28納米制程進入試產。

          2012年5月24日,聯電南科12A廠第五第六期廠房動土典禮。

          2012年11月,聯電宣布顏博文接替孫世偉擔任首席執行長。

          2013年3月,聯電完成收購和艦科技,是現在的FAB 8N廠。

          2013年5月,聯電打造Fab12i廠為特殊技術中心(Specialty Technology Center of Excellence)。

          2014年8月,聯電入股富士通旗下新晶圓代工子公司三重富士通半導體。

          2014年10月9日,聯電與廈門市政府及福建省電子信息集團成立合資公司聯芯集成,運營12英寸晶圓代工業務,項目總投資預計達62億美元,設計規劃最大月產能為12英寸晶圓5萬片。

          2015年3月26日,聯電旗下廈門聯芯集成12英寸生產廠房動土典禮。

          2016年11月16日,聯電旗下廈門聯芯集成FAB 12X廠進入量產。

          2017年2月23日,聯電14納米工藝進入量產。

          2017年5月22日,聯電旗下廈門聯芯28納米正式量產出貨。

          2017年6月14日,顏博文辭任首席執行長職位,由王石、簡山杰擔任共同總經理,王石主外掌管市場,簡山杰對內掌控技術、研發。

          2018年6月,聯電董事會通過購買與富士通合資公司的全部股權。

          2018年7月,聯電單月營收創歷史最高,營收高達新臺幣143億。

          2019年7月21日,聯電撤銷子公司和艦芯片原訂赴中國大陸科創板上市計劃。

          2019年10月,聯電完成收購富士通旗下三重富士通半導體,成為100%完全獨資的子公司,更名為United Semiconductor Japan Co., Ltd. (USJC)。

          2020年7月,聯電7月營收再創歷史新高,營收高達新臺幣154.95億元。


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