【半導體/IC】牽手高通歌爾為"雙創"助力 青島芯谷打造聯合創新中心

【半導體/IC】牽手高通歌爾為"雙創"助力 青島芯谷打造聯合創新中心

山東省青島市嶗山區打造“青島芯谷”,吸引越來越多的全球領軍力量注入,打造微電子產業新高地。3月29日,由青島微電子創新中心有限公司、高通(中國)控股有限公司(Qualcomm)、歌爾股份有限公司共同成立的“青島芯谷·高通中國·歌爾聯合創新中心”(以下簡稱“聯合創新中心”)啟用儀式在嶗山區國際創新園舉行。此次三方強強聯手,將為青島芯谷的建設注入新的動能。

據悉,聯合創新中心包括展示中心、創新實驗室兩部分。展示中心將作為青島高科技領域的一張名片,通過展示高通與歌爾強強聯手,基于高通領先的計算與連接技術以及歌爾的智能硬件開發集成能力,在智能音頻、VR/AR、智能穿戴以及物聯網等領域所打造的產品和解決方案,幫助參觀者了解全球物聯網領域前沿技術及應用場景與案例,為更多雙創企業投身智能產品開發拓寬視野。

創新實驗室配備面向無線耳機、VR/AR及物聯網等領域的先進測試設備,依托Qualcomm全球領先的技術、歌爾強大的研發實力和產業基礎,為符合條件的雙創企業提供技術評估、初期研發指導及實驗性測試和系統兼容性測試,從而幫助雙創企業在提高研發及自主創新能力方面開拓思路,加快和提升雙創企業在智能終端及物聯網等相關行業應用領域的進步。

【存儲器】華泰上季終止連8虧，今年營運迎轉機

受惠于NAND Flash晶圓供給量充足，封測廠華泰去年第四季由虧轉盈，以減資后股本計算每股凈利0.11元(新臺幣，下同)，優于市場預期。今年以來上游原廠持續釋出NAND Flash晶圓，雖然市場供給過剩且價格走跌，但對以量計價的封測廠華泰來說卻是營運利多，3月產能利用率已逼近滿載。法人看好華泰今年季季都賺錢，營運已確定走出谷底。

去年下半年全球主要NAND Flash原廠全面量產64層3D NAND，帶動華泰第四季封測產能利用率明顯回升，加上EMS事業受惠于美中貿易戰帶動的轉單效應發酵，去年第四季營運由虧轉盈。

華泰去年第四季合并營收季增2.3%達42.07億元，較前年同期成長18.0%，平均毛利率季增1倍達8.6%，較前年同期拉升8個百分點，代表本業獲利的營業利益由負轉正達0.75億元，歸屬母公司稅后凈利0.61億元，與前年同期虧損3.01億元相較，營運面大幅好轉，以減資后股本計算，單季每股凈利0.11元。

三星宣布推出1Z納米制程DRAM

全球DRAM龍頭三星21日宣布，首次業界開發第3代10納米等級（1Z納米制程）8GB高性能DRAM。這也是三星發展1Y納米制程DRAM之后，經歷16個月，再開發出更先進制程的DRAM產品。

三星表示，1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產時間將落在2019下半年，以應對下一代企業服務器需求，并有望能在2020年支援新高階個人計算機。

隨著1Z納米制程產品問世，并成為業界最小的存儲器生產節點，目前三星已準備好用新的1Z納米制程DDR4DRAM滿足日益成長的市場需求，生產效率比以前1Y納米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。

除了提供市場需求，三星還指出，跨入1Z納米制程的DRAM生產，將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預做準備。