- 過去幾年來，碳化矽(SiC)型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發展。SiC這項全新的寬帶隙技術，不僅是向前邁進的革命性發展(例如過去幾年來每一代新型的矽功率裝置)，也具有真正改變局勢的能力。
過去幾年來，碳化矽(SiC)型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發展。推動此項市場發展的力量包括下列趨勢：節能、縮減體積、系統整合及提升可靠性。
IGBT搭配SiC二極體 寬帶隙技術改變局勢
SiC裝置定位能夠充分因應上述市場挑戰。這項全新的寬帶
- 關鍵字：
功率半導體 碳化矽
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