硅3d 文章 進入硅3d技術(shù)社區(qū)

硅3D集成技術(shù)的新挑戰(zhàn)與新機遇

• 摘要從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù)，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開發(fā)新產(chǎn)品的機會。本文概述了當(dāng)前新興的硅3D集成技術(shù)，討論了圖像傳感器、光子器件、MEMS、Wide I/O存儲器和布局先進邏輯電路的硅中介層，圍繞3D平臺性能評估，重點介紹硅3D封裝的主要挑戰(zhàn)和技術(shù)發(fā)展。硅的 3D應(yīng)用機會從最初為圖像傳感器設(shè)計的硅2.5D集成技術(shù)[1]，到復(fù)雜的高密度的高性能3D系統(tǒng)，硅3D集成是在同一芯片上集成所有功能的系統(tǒng)芯片(SoC)之外的另一種支持各
• 關(guān)鍵字： TSV  硅3D