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        x-gan 文章 最新資訊

        “十三五”期間,功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線圖?

        •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟,功率半導體就是電機的心臟,它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
        • 關鍵字: 功率半導體  GaN  

        手機及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

        •   充電和電池管理對智能手機來說,仍是關鍵的功能,未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產(chǎn)品的使用,我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專注于這兩大應用,提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案,以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求。  市場對于更快充電時間、更大電池容量和更小適配器的要求,把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
        • 關鍵字: 安森美  GaN  

        【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

        •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
        • 關鍵字: GaN  SiC  

        【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

        •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
        • 關鍵字: GaN  SiC  

        【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

        •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
        • 關鍵字: GaN  SiC  

        【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應用

        •   MACOM GaN在無線基站中的應用  用于無線基礎設施的半導體技術正在經(jīng)歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動,這將對無線基站的系統(tǒng)性能和運營成本產(chǎn)生深遠的影響。氮化鎵顯而易見的技術優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務于下一代基站,尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高,但是MACOM公司
        • 關鍵字: GaN  MACOM  

        無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)

        •   有鑒于全球環(huán)保意識抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢,其功率模組在再生能源與車用電子領域,商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵,則將緩步進軍中功率市場。   可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備,為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過矽元件。   臺達電技術長暨總
        • 關鍵字: SiC  GaN  

        松下:力推阻容元件與開發(fā)工具,開關器件X-GaN效率更高

        •   松下被動元件展區(qū),松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產(chǎn)品市場經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu),例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。  ZK和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC,可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合。  松下集團汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator,可加速
        • 關鍵字: 松下  X-GaN  

        最新Qorvo技術支持更高性能的GaN分立式LNA和驅動器

        •   實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對先進的通信、雷達和國防RF系統(tǒng)應用而言甚為關鍵。   該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz,支持芯片級設計,通過K頻段應用提供頻率更
        • 關鍵字: Qorvo  GaN  

        半導體大佬撐腰之下 GaN功率半導體能取代MOSFET?

        • 2010年,供應商發(fā)布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近,這種產(chǎn)品的可用性依然不高,價格也高昂不下,GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移,這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中,GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
        • 關鍵字: GaN  MOSFET  

        如何應對GaN測量挑戰(zhàn)

        • 功耗是當今電子設計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求,希望能充分利用電池能量,幫助消減能源帳單,或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經(jīng)過30年的發(fā)展之后,硅MOSFET發(fā)
        • 關鍵字: GaN    測試  

        中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

        •   中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日,中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林,廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生,市委副書記、市長梁維東,國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領導出席中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。   副市長楊曉棠,市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。   為廣東實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)化提
        • 關鍵字: 半導體  GaN  

        Dialog加入功率元件市場戰(zhàn)局 GaN應用成長可期

        •   隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后,國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。        Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall   透過臺積電以六寸晶圓廠的技術,Dialog推出了DA8801,Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示,該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
        • 關鍵字: Dialog  GaN  

        以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

        •   德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組:以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體...   下一代行動無線網(wǎng)路——5G,將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics,F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組
        • 關鍵字: GaN  5G  

        GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

        •   眾人皆知,由于半導體制程的不斷精進,數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運算力不斷增強,使運算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。    ?   GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp)   不過,姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升,例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
        • 關鍵字: GaN  SiC  
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