- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出可在+180℃高溫下連續工作的新款車用級IHLP?低外形、大電流電感器---IHLP-2525CZ-8A。新的Vishay?Dale?IHLP-2525CZ-8A的外形尺寸為2525,高度低至3.0mm,感值范圍從0.47μH到22μH。 今天推出的器件通過AEC-Q200認證,頻率高達1MHz,可在高溫汽車應用里當作電壓穩壓模塊(VRM)和DC/DC轉換器的高效能、節省空間和能源解決方案
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IHLP 電感器 Vishay
- 器件適合音響和醫療應用,具有12W高功率等級和+350℃的工作溫度。賓夕法尼亞、MALVERN—2014年4...
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Vishay 繞線電阻 音響
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出可用于醫療成像設備和高端音響的新系列無磁、無感軸向引線的繞線電阻---MRA系列,電阻的功率等級高達12W,可在+350℃高溫下工作。 Vishay?Mills?MRA系列器件來自Vishay?Dale電阻事業部,采用無感和全焊接結構,適用于射頻和運算放大器應用,能夠大大增強頻率響應。結合無感的Ayrton-Perry線圈,器件幾乎沒有感抗和信號損失。 電阻在25℃下的功率等級
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Vishay 醫療電子 MRA 放大器
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.日前宣布,發布用于DC-link應用的新款環境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器件具有1μF~500μF的容量范圍、小尺寸占位,電壓等級從500V到1200V。 憑借單位體積的高容量和在+70℃、標稱直流電壓下超過10萬小時的長壽命,經濟實用的MKP1848C非常適合可再生能源逆變器、電機驅動和電源等工業電源應用。 DC-link電容器的ESR低至1.5mΩ,每毫米引線間隔的自感小于1nH,可承受高
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Vishay 電容器 MKP1848C
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功率等級提到2W。Vishay?Dale薄膜器件采用自鈍化的耐潮鉭氮化物電阻膜技術,具有高功率等級和低至±25ppm/℃的絕對TCR,在-55℃~+125℃寬溫條件下,經過激光微調的公差低至±0.1%。 PTN電阻的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮水平超過MIL-PRF-55342的極限,使這款器件非常適合軍工、航天、電信和工業應用的低噪聲、高精度控制系
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Vishay TCR PTN
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率,在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻,占位面積為2mm?x?2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備,以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T,擴充其光電子產品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離,還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓,非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環境。 除了具有優異的隔離能力,使用可靠和久經考驗的光電子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出高穩定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4),它們可幫助工程師開發原型,加快電子系統的上市時間。 今天發布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最
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Vishay TNPW0402 E-96 薄膜技術
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出高穩定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4),它們可幫助工程師開發原型,加快電子系統的上市時間。 今天發布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最常
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Vishay TNPW0402 傳感器 RoHS E-96
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款可編程開關---Vishay Siliconix SiP12109,其頻率高達1.5MHz,輸入電壓4.5~15V的4A器件,擴充了Vishay的microBUCK?系列集成式同步降壓穩壓器。Vishay Siliconix SiP12109在節省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝內集成了高邊和低邊功率MOSFET,為設計者提供了
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Vishay SiP12109 microBUCK CM-COT DC/DC
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出兩款通過AEC-Q101認證的配對高速940nm紅外發射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01,采用小尺寸3mm?x?2mm側視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm,VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm,是業內高度最低的側視產品
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Vishay 紅外 PIN VSMB AEC-Q101
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的具有轉換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開關--- SiP32101,可在便攜式電子設備、醫療設備和儀器儀表中用來隔離低壓電池。在這些空間受限的應用中,Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節省91%的PCB空間,在小尺寸12凸點WCSP封裝內實現了低導通電阻和超低靜態電流。
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Vishay SiP32101 雙向
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,擴充其TANTAMOUNT?低ESR TR3和標準工業級293D系列固鉭表面貼裝片式電容器,使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的電壓提高到75V。來自于Vishay Sprague的該款器件是業內首個75V模塑鉭電容器,是為滿足在+28V和+35V應用中降額50%額定電壓而設計的。
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Vishay 模塑鉭電容器 表面貼裝片式
- 2014 年 2 月20 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用該公司IHLP? 技術制造,可用于SEPIC DC/DC轉換器和其他應用的新系列組合耦合電感器。
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Vishay 電感器 LED IHCL
- 2014 年 2 月19 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm頂視SMD封裝的新款850nm紅外發射器--- VSMY98545,擴大其光電子產品組合。VSMY98545基于SurfLight?表面發射器芯片技術,集成鏡片,具有高驅動電流、高發光強度和高光功率,同時具有低熱阻。
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Vishay 發射器 VSMY98545
vishay介紹
威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創新和不斷的并購, 迅速發展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家,其中中國大陸有7家制造業工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產品被廣泛地應用于工業、計算機 [
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