- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環境。 除了具有優異的隔離能力，使用可靠和久經考驗的光電子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開發原型，加快電子系統的上市時間。 今天發布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最
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Vishay TNPW0402 E-96 薄膜技術
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開發原型，加快電子系統的上市時間。 今天發布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最常
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Vishay TNPW0402 傳感器 RoHS E-96
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款可編程開關---Vishay Siliconix SiP12109，其頻率高達1.5MHz，輸入電壓4.5～15V的4A器件，擴充了Vishay的microBUCK?系列集成式同步降壓穩壓器。Vishay Siliconix SiP12109在節省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝內集成了高邊和低邊功率MOSFET，為設計者提供了
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Vishay SiP12109 microBUCK CM-COT DC/DC
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出兩款通過AEC-Q101認證的配對高速940nm紅外發射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01，采用小尺寸3mm?x?2mm側視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm，VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm，是業內高度最低的側視產品
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Vishay 紅外 PIN VSMB AEC-Q101
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的具有轉換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開關--- SiP32101，可在便攜式電子設備、醫療設備和儀器儀表中用來隔離低壓電池。在這些空間受限的應用中，Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節省91%的PCB空間，在小尺寸12凸點WCSP封裝內實現了低導通電阻和超低靜態電流。
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Vishay SiP32101 雙向
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其TANTAMOUNT?低ESR TR3和標準工業級293D系列固鉭表面貼裝片式電容器，使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的電壓提高到75V。來自于Vishay Sprague的該款器件是業內首個75V模塑鉭電容器，是為滿足在+28V和+35V應用中降額50%額定電壓而設計的。
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Vishay 模塑鉭電容器 表面貼裝片式
- 2014 年 2 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用該公司IHLP? 技術制造，可用于SEPIC DC/DC轉換器和其他應用的新系列組合耦合電感器。
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Vishay 電感器 LED IHCL
- 2014 年 2 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm頂視SMD封裝的新款850nm紅外發射器--- VSMY98545，擴大其光電子產品組合。VSMY98545基于SurfLight?表面發射器芯片技術，集成鏡片，具有高驅動電流、高發光強度和高光功率，同時具有低熱阻。
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Vishay 發射器 VSMY98545
- 2014 年 2 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有更強穩定性的新系列SMD NTC熱敏電阻---NTCS....E3...SMT，可用于溫度檢測和補償電路。
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Vishay 熱敏電阻 NTC
- 2014 年 2 月17 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出7個新的45V和50V器件，擴充其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些高電流密度的整流器適合汽車和商業應用，具有3A～8A的電流等級和低正向壓降，采用薄外形表面貼裝DO-221BC(SMPA)封裝。
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Vishay 整流器
- 2014 年 2 月13 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布用于高功率表面貼裝射頻應用的新系列厚膜片式電阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸，在+70℃和標準印制板貼裝情況下的功率等級為1W，采用主動式溫度控制后，功率等級可達11W。
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Vishay RCP 電阻
- 2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET Si7157DP
- VishayIntertechnology,Inc.宣布，擴大其用于高溫應用的VJX8R系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)。為節...
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Vishay 高溫環境 電容器
- 2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay Si8851EDB 導通電阻
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