- 3 仿真分析及具體設計結果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結構的設計中，一種常見的具體的ESD瞬態檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結構。其原理如下：主要利用結構中的RC延遲作用，一般T=RC被設計為100ns-1000ns之間，而
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VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結構的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務之一，其ESD結構與工藝技術、特征尺寸密切相關，隨著IC工藝技術的進一步發展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
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VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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RC振蕩器 VDD GND
- 1 AB類功放驅動電路設計目標
在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅動負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經典放大器的最大效率的理論值與導通角的函數關系如圖1所示。
A類功率放
- 關鍵字：
AB類功放驅動電路 NMOS VDD 隔直電容
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