移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構,這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
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SiC FET
圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉換器的效率,但是主流半導體開關技術的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過,SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿足許多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權衡取舍,一個好例子是既要求達到服務器電源的“鈦”標準等能效目標,又要用功率因素校正(PFC)將線路諧波發(fā)射保持在低水平,以幫助電網可靠高效地運行。在大部分情況下,會通過升壓轉換器部分實施PFC,升壓轉換器會將整流后
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SiC FET PFC
GaN(氮化鎵)作為新一代半導體材料,正有越來越廣泛的應用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET,分別面向車用充電器和工業(yè)電源,可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會?此次GaN FET的突破性技術是什么?為此,電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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GaN FET SiC
嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內)下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制,以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
離線電源是最常見的電源之一,也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產品數量的增加,對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉換器的需求也越來越大。對于這些應用程序,最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時,反激通常是任何低功耗離線轉換器的首選。但是,如果不需要隔離,這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個智能燈開關,用戶可以通過智能手機的應用程序進行控制。在這種情況下,用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓,因此不需要隔離。對于離線電源來說,反激拓撲是一個合理的解決方案,因為它的物料清單(BOM
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BOM FET VDD
近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場,包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無刷直流(BLDC)解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據雙向開關的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。另一方面,三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應管(FET),因此從有刷電流轉向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍(見圖1)。圖1:從有刷拓撲轉換到無刷拓撲意味著FET數量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術要求。例如,若電路板上FET的數量6倍倍增
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FET BLDC
每年十二月,在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇,在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International
Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM) 在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學現(xiàn)象、光電工程、
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DRAM GAA-FET
智能集成電機驅動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠。 圖1所示為集成電機驅動器結合驅動電機所需的一切要素,如場效應晶體管(FET)、柵極驅動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點。 BLDC電機在汽車應用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內體驗以及更好的EMI性能。 圖1:智能集成BLDC電機驅動器 集成智能系列博
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BLDC FET
使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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FET 雙極性晶體管 緩沖電路 寬帶
如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠對現(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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FET TPS22963 德州儀器 反向電流
揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內的廣泛產品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
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電池管理系統(tǒng) FET FET驅動器
與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系,就需要偏置電路來提供柵極電壓。 與晶體管放大電路的接地方式相同,結型FET放大電路也有多種接地方式。 最一般的源極接地電路和自偏置電路 n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反。 FET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
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FET 放大電路
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