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        1972年1月1日，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研制成功
        
                                                            
          
                    	
        • 　　中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研制成功
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        LSI  PMOS                          
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		      			      			      	PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管
　　全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 
　　別名 ： positive MOS 
　　金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
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