- 我們可以簡單細數一下近期關于英特爾的消息：
1.發布多款第七代智能英特爾酷睿處理器產品，并推出用于移動工作站的全新至強處理器;
2.發布首款5G標準的通信芯片;
3.推出無需電腦連接的“獨立”VR頭盔;
4.發布面向汽車廠商的新產品“英特爾Go”處理器;
5.首批安裝該處理器的40輛寶馬無人駕駛汽車將于2017年下半年上路測試。英特爾負責解決從汽車到數據中心的計算能力，為自動駕駛方案提供處理器和FPGA技術，進一步平衡性能和
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英特爾 PC
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個在傳統淡季下仍能維持強勢漲價的季度。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，根據現已成交的合約看來，2017年第一季標準型內存價格持續攀高，平均漲幅接近三成，服務器內存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過200美元
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DRAM
- 在2015、2016連續兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
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DRAM NAND
- 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發出的新型內存單元，能夠顯著降低動態隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態的內存單元，無需刷新操作;兼容于現有晶圓廠的制造設備，也無需任何新的材料或工藝。 相較于一般的DRAM，VLT內存數組能節約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元，以及驅動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內存數組效率。然而，想要發揮VLT的優勢，就必須在依據產業標準發展的成熟DR
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DRAM
- 大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元，在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。
半導體設備業透露，紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產業從零突破的開端，也創下由國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作的新合作模式。
由紫光集團聯合國家集成電路產業基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
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紫光 DRAM
- 根據ICInsights報道，在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于
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DRAM 存儲器
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問題再擴大，明年再現飆漲
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DRAM SK海力士
- 在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
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存儲器 DRAM
- 力晶執行長黃崇仁20日出席臺灣物聯網產業技術協會成立大會時表示，明年存儲器市況不錯，但力晶沒有到大陸生產存儲器的計劃;同時他發表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法，他認為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度，不會去挖臺積電的墻角。
20日市場傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團，協助在成都蓋12吋晶圓代工廠，黃崇仁對此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀察，蔡力行對臺積電是有忠誠度的，不會去挖臺積電的墻角。
由于力晶已經前進大陸合肥在當地蓋12吋晶圓代工廠合晶，目前廠房已經蓋好，明年將進
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力晶 DRAM
- 中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。
長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。
大陸發展自主存儲已列入大陸國家發展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
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華亞科 DRAM
- 作為減少開支計劃的一部分，聯想公司對其在巴西的業務進行重組。
該公司原計劃在巴西圣保羅州伊圖市(Itu)建立一家占地5.2萬平方米的制造廠，現在決定遷至該州郊區的因達亞圖巴(Indaiatuba)，工廠面積減半。
據巴西當地《經濟價值報》報道，聯想的巴西員工也從5000人縮減至800人，以便“使成本適應新的市場現實”。
“這樣做的好處是，市場規模依舊維持與過去三個季度大體一致，我們相信下滑已經結束，”聯想巴西PC部門總裁西爾維奧&m
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聯想 PC
- 傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產10奈米級DRAM的半導體業者。目前SK海力士已完成1x奈米技術研發，同時著手開發1y奈米，并組成1z奈米研發團隊，持續追求更高的技術競爭力。
據韓媒ET News報導，14日業界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產。其目前已完成客戶樣品生產，正進行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠正式量
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SK海力士 DRAM
- 中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。
長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。
大陸發展自主存儲已列入大陸國家發展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
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華亞科 DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發完成后，SK 海力士將繼續研發 1y DRAM，并為發展 1z DRAM 鋪路。
來自產業界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。
半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發才算完成。據報
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SK海力士 DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發完成后，SK 海力士將繼續研發 1y DRAM，并為發展 1z DRAM 鋪路。
來自產業界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發代號設為 Alius，已準備進入量產前置作業。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。
半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產品開發才算完成。據報
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SK海力士 DRAM
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