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        nor flash 文章 最新資訊

        Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

        • Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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        嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

        • 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計中,存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢,但因其隨機讀取速度快,因此在嵌入式系統(tǒng)中,常應(yīng)用在程
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        Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

        •   Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度,該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元,合攤薄股每股0.39美元的凈收入,其凈銷售額達近20億美元。相比之下,2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元,合攤薄股每股0.23美元,凈銷售額為17.4億美元,并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元,合攤薄股每股0.99美元,凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
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        TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導(dǎo)

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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        富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)

        •   富士通微電子公司日前宣布,已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù),可提高閃存讀取速度,并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中,引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素,從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達,訪問時間僅10ns,同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項技術(shù),便攜音視頻設(shè)備將有望改進性能,同時延長電池續(xù)航時間。   富士通表示,將以這項N
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        跟上連接和融合的發(fā)展步伐

        •    MIPS 科技公司營銷副總裁Art Swift   2010 年我們在全球看到的最大的趨勢就是連接和融合。在整個市場,硬件平臺的融合和因特網(wǎng)連接正逐漸成為幾乎每個電子設(shè)備的一部分。對于消費者而言,這基本上意味著他們可以在任何時間和地點,在任何屏幕上瀏覽任何內(nèi)容。半導(dǎo)體設(shè)計人員需要跟上市場不斷變化的步伐, MIPS 致力于提供全面的解決方案幫助我們的客戶取勝。這意味著我們將為客戶提供更多以內(nèi)容為中心的解決方案,并對 Android、Linux、Flash、Java 和其他平臺優(yōu)化進行大量投資。
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        Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場

        •   據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟復(fù)蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈,類似于整體內(nèi)存市場的情形。   2009年第四季度總體NOR營業(yè)收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長0.7%。   “這標志這個市場連續(xù)第三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕,營業(yè)額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營業(yè)收入受到來自多個消費產(chǎn)品領(lǐng)域的需求推動,包括液晶電視、手機和電腦。需
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        基于FLASH星載存儲器的高效管理研究

        • NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概念對存儲器數(shù)據(jù)進行管理,制定了針
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        美光科技斥資12.7億美元收購恒億半導(dǎo)體

        •   據(jù)國外媒體報道,美國最大的電腦存儲芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布,將斥資12.7億美元收購閃存芯片制造商恒憶半導(dǎo)體(Numonyx Holdings BV),借此增強其閃存芯片業(yè)務(wù)。   收購恒億   美光科技科技在聲明中表示,將向恒憶半導(dǎo)體的投資者——英特爾、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以及私募股權(quán)公司Francisco Partners——定向增發(fā)1.4億股股票。除此之外,美光科技還會向恒憶
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        創(chuàng)造消費價值是關(guān)鍵

        •   32位MCU強勢增長   從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1),08年出貨量是119億美元,到09年降低到86億美元。從增長曲線看,32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看,在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位,到10月底時,32位總體下降了近23%,而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看,8位的下降是26%,而32位只下降10%,因此從單位數(shù)量來說,32位下降較少,NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭,這
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        為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標

        •   存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標。   縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲器廠退出,表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。   在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中,存儲器也是走在前列,如
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        車載MP3中Flash文件系統(tǒng)的設(shè)計與應(yīng)用

        • 引言 目前車載播放器基本上采用的是CD播放器、MD播放器以及磁帶播放器等。由于這類播放器內(nèi)部具有一些機械式傳動部件,再加上裝在汽車這個特定的環(huán)境中,經(jīng)常會由于機械傳動或者光頭、磁頭受震動發(fā)生跳音或絞帶現(xiàn)
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        FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

        • FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲器,具有ROM存儲器的特點,存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失,而芯片的引腳與訪問又具有類似于RAM的特點。NAND FLASH 存儲器將數(shù)據(jù)線與地址線復(fù)用為8條線
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        張汝京下課 中芯大漲

        •   為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。   11月11日,臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞:中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。   中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權(quán),且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權(quán)。   這件事情所以在臺灣
        • 關(guān)鍵字: 中芯國際  晶圓  NOR  NAND  
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        nor flash介紹

        NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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