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        nch mosfet 文章 最新資訊

        電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

        • DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  選擇  控制器  開(kāi)關(guān)  系統(tǒng)  電源  

        Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

        • 引言對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng),更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn),因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著...
        • 關(guān)鍵字: Power  Trench  MOSFET  

        飛兆與英飛凌簽署汽車級(jí)封裝工藝許可協(xié)議

        • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  飛兆  MOSFET  

        可編程大電流熱插拔控制

        • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板,不會(huì)中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài),并且同時(shí)啟動(dòng)添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時(shí),保護(hù)MOSFET器件。
        • 關(guān)鍵字: 熱插拔  MOSFET  

        MOSFET門極驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)化

        • 在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  門極驅(qū)動(dòng)  電壓優(yōu)化  

        電源測(cè)試之-MOSFET開(kāi)關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

        • MOSFET的開(kāi)關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程“軟硬”程度的重要評(píng)估指標(biāo),MOSFET的軟硬程度對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的性能、...
        • 關(guān)鍵字: TDS3000  示波器  MOSFET  

        2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)30億美元

        •   據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS Research的最新報(bào)告顯示,2016年,LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過(guò)30億美元。   報(bào)告認(rèn)為,隨著更高效照明需求的增長(zhǎng)以及淘汰白熾燈的法令的頒布,LED照明市場(chǎng)快速增長(zhǎng),這將催生一個(gè)巨大的大功率LED潛在市場(chǎng),到2016年,大功率LED出貨量將達(dá)190億個(gè),總值超過(guò)30億美元。   LED照明是大功率LED市場(chǎng)發(fā)展的最大機(jī)遇,到2016年將可帶動(dòng)20億美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。市面上具有各種不同的電子設(shè)計(jì)、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來(lái)越廣,這也給大
        • 關(guān)鍵字: LED照明  MOSFET  

        集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(四)

        • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能,文中一一有分解說(shuō)明。
          關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個(gè)PIN腳功能(上接第1
        • 關(guān)鍵字: 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  集成  

        IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)

        Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項(xiàng)與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

        • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻,因此在通信電源,服務(wù)器電源,電源適配器以及臺(tái)式電腦電...
        • 關(guān)鍵字: Super-junction  PFC  MOSFET  

        [組圖]800瓦M(jìn)OSFET功放

        • 800瓦M(jìn)OSFET功放功放適合大功率的AV場(chǎng)合,看看參數(shù)吧:頻響寬度:10HZ--100KHZ失真度(8歐姆100W輸出時(shí)):0 ...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  功放  

        Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

        • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,讓反激式電源設(shè)計(jì)師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器,作為理想驅(qū)動(dòng)二極管。同時(shí),ZXGD3105N8還能使機(jī)頂盒取得少于100mW的待機(jī)功耗,以及逾87%的滿載效率。
        • 關(guān)鍵字: Diodes  控制器  MOSFET  

        功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

        • 摘要:在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機(jī)制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上,研究了無(wú)緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線,明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET,表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
        • 關(guān)鍵字: 二維數(shù)值  模擬  能力  SEB  MOSFET  功率  

        智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能

        • 智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時(shí)仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競(jìng)爭(zhēng)激烈,他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加,但是沒(méi)有考慮到另外一個(gè)可能的失效點(diǎn)的影響。在所有這些點(diǎn)都需要電源,并且
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  醫(yī)療設(shè)計(jì)  可靠性  性能    

        羅姆推出高耐壓功率MOSFET

        • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng),開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  電阻  MOSFET  
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        nch mosfet介紹

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