micro Ⅲ lite 文章 最新資訊
飛兆半導(dǎo)體µSerDes™產(chǎn)品具有ESD保護
- 飛兆半導(dǎo)體公司宣布推出基于 µSerDes™ 技術(shù)的重要強化產(chǎn)品FIN224AC。與備受歡迎的前代產(chǎn)品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面積和基礎(chǔ)架構(gòu)，但卻提供增強的靜電放電 (ESD) 保護功能并能降低EMI。對任何手持式電子產(chǎn)品而言，ESD損害都是重要的考慮問題。飛兆半導(dǎo)體將FIN24AC的8kV ESD保護性能提升至 FIN224AC的15kV ESD，因而解決了這一難題。另一項改進
- 關(guān)鍵字： µ SerDes™ 15kV ESD 保護 單片機 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng)
為低功耗應(yīng)用選擇正確的 µC 外圍器件
- 在現(xiàn)實世界中，Power（權(quán)力）就意味著金錢－越大越好；而對于 µC 外圍器件來說則正好相反。隨著消費市場的不斷發(fā)展，終端應(yīng)用產(chǎn)品的體積不斷縮小，Power（功率）越小越好。便攜性和低功耗成為最優(yōu)先考慮的事情，并促成處理器內(nèi)核電壓降至1.8 v 的行業(yè)動向，也就不足為奇了。盡管與 3.3 v 和 5 v 型號相比，這些低功耗器件消耗的能量確實要低得多，但是低功耗處理器并非都一樣。設(shè)計出色的低功耗應(yīng)用需要同時考慮終端應(yīng)用的需求和各種可用的 µC 特性。設(shè)計人員可能會提出以下問題：是否
- 關(guān)鍵字： & C micro
RF MICRO DEVICES為新型AT&T無線終端提供解決方案
- 日前，無線通信應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先專用射頻集成電路(RFIC)供應(yīng)商RF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq 股市代號: RFMD）宣布，該公司正在批量發(fā)運用于 AT&T Wireless 最近宣布推出的 Ogo™ 無線終端的 POLARIS™ TOTAL RADIO™ 解決方案。POLARIS 解決方案由 RFMD 的 GSM/GPRS POLARIS 收發(fā)器和該公司業(yè)界領(lǐng)先的 PowerStar® 功率放大器 (PA) 模塊組成。
- 關(guān)鍵字： RF Micro Devices Inc. RF IF
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