igbt fs7 文章最新資訊

IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放，人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。　　然而在電力電子里面，最重要的一個(gè)元件就是IGBT。沒有IGBT就不會(huì)有高鐵的便捷生活。　　　　一說起IGBT，半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
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2016年P(guān)CIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)錄得破紀(jì)錄參展商及觀眾人數(shù)

　　2016年P(guān)CIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)于6月30日在上海世博展覽館成功閉幕。展會(huì)由廣州光亞法蘭克福展覽有限公司、法蘭克福展覽(上海)有限公司、德國美賽高PCIM有限公司和上海浦東國際展覽公司合力主辦，是中國領(lǐng)先的電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源及能源管理展覽會(huì)暨國際研討會(huì)。　　　　作為電力電子行業(yè)重要的交流平臺(tái)之一，為期三天的展會(huì)云集全球?qū)＜壹皼Q策者，吸引來自8個(gè)不同國家及地區(qū)共87家參展商以及11個(gè)不同國家及地區(qū)共5,492位買家進(jìn)場，采購最新的
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三菱電機(jī)IGBT和IPM比翼齊飛，力保市場優(yōu)勢(shì)地位

　　三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士，在PCIM Asia 2016展會(huì)期間提到，三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體模塊(包括其在美國合資企業(yè)Powerex)2014年和2015年的銷售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元，約占全球總銷量的23%，位居功率模塊市場首位。　　圖一：三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士記者會(huì)演講　　雖然2016年整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境不佳，預(yù)計(jì)銷售額會(huì)有所下降。但是，由于中國市場龐大，并且根據(jù)國家相應(yīng)的十三五發(fā)展規(guī)劃，中國將從制造大國邁向制造強(qiáng)國
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多家行業(yè)龍頭企業(yè)齊齊亮相PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

　　2016年P(guān)CIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)將再次于6月28至30日在上海世博展覽館舉行。展會(huì)由廣州光亞法蘭克福展覽有限公司、法蘭克福展覽(上海)有限公司、德國美賽高PCIM有限公司和上海浦東國際展覽公司合力主辦。為期三天的行業(yè)盛事預(yù)料將吸引來自8個(gè)不同國家及地區(qū)共90家電力電子、連接技術(shù)和傳感器的高端企業(yè)參展，以及超過6,000名專業(yè)觀眾蒞臨參觀采購，總展覽面積達(dá)到5,600平方米。　　　　隨著中國最面進(jìn)入工業(yè)化革命，國家大幅度提高對(duì)可再生能源、電動(dòng)
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“I”型三電平逆變器開關(guān)管不均壓研究

為解決“I”型三電平逆變拓?fù)渲袃?nèi)、外開關(guān)管的不均壓問題，在逆變拓?fù)溟_關(guān)管的控制方式及硬件電路上提出了優(yōu)化的方案。開關(guān)管發(fā)波控制中，在原有的時(shí)序控制中加入開機(jī)和關(guān)機(jī)的時(shí)序邏輯，開機(jī)時(shí)保證內(nèi)管先于外管開通，關(guān)機(jī)時(shí)保證外管先于內(nèi)管關(guān)斷，避免內(nèi)、外管承受電壓不一致的情況。在硬件電路中，對(duì)內(nèi)管增加阻容網(wǎng)絡(luò)，消除了內(nèi)、外管同時(shí)關(guān)斷時(shí)由于其寄生參數(shù)不一致而導(dǎo)致的內(nèi)、外管承受電壓不一致的現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法可以徹底解決“I”型三電平拓?fù)渲袃?nèi)、外管承受電壓不一致的問題。
關(guān)鍵字： “I”型三電平絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 內(nèi)、外管不均壓 201607

三菱電機(jī)攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場

　　三菱電機(jī)今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))中登場，向公眾展示其在功率半導(dǎo)體市場上的非凡實(shí)力(三菱電機(jī)展位號(hào)：B15)。　　今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。　　變頻家電市場　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機(jī)這次在去年推介
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EV/HEV用IGBT將增長3倍，IGBT仿真與測(cè)試引關(guān)注

EV/HEV用IGBT在5年內(nèi)將增長3倍。由于EV/HEV的電力系統(tǒng)更加復(fù)雜，IGBT的熱設(shè)計(jì)與可靠性分析與測(cè)試十分重要，需要借助軟硬件結(jié)合的方式進(jìn)行仿真與測(cè)試。
關(guān)鍵字： EV/HEV IGBT 熱可靠性 201606

問專家提問-當(dāng)我并聯(lián)連接兩顆或更多顆IGBT時(shí)需要顧及些什么？

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Mentor為EV/HEV用IGBT推出600A仿真和測(cè)試設(shè)備

　　Mentor Graphics公司近日宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測(cè)試電動(dòng)和混合動(dòng)力車 (EV/HEV) 的IGBT的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測(cè)試功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對(duì)完成任務(wù)來說至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。　　“中國三類客戶對(duì)此會(huì)有感興趣：1.一些OEM廠商自己在做IGBT;2.企
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Mentor Graphics 推出獨(dú)特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案，用于解決電動(dòng)和混合動(dòng)力車 IGBT 熱可靠性問題

　　Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測(cè)試電動(dòng)和混合動(dòng)力車 (EV/HEV) 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測(cè)試功率半導(dǎo)體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對(duì)完成任務(wù)來說至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問題可能導(dǎo)致需要召回 EV/HEV 汽車，
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Fairchild推出適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車和純電動(dòng)汽車應(yīng)用的分立式IGBT

　　隨著Fairchild最新汽車創(chuàng)新產(chǎn)品的上市，汽車制造商及其供應(yīng)商在牽引逆變器　　和其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)的元件方面將擁有更多的選擇　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今天發(fā)布了新產(chǎn)品，即適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)、充電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)和電動(dòng)汽車(EV)應(yīng)用的新型分立式IGBT和二極管和裸片，從而擴(kuò)展了其不斷增加的汽車級(jí)半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合。這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器，牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件，能夠?qū)㈦姵?/li>
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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解析IGBT的工作原理及作用

　　本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。可以說，IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。　
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IGBT模塊封裝底板的氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響分析

本文簡介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程，并在相同的實(shí)驗(yàn)條件下，對(duì)兩組不同氧化程度的模塊分別進(jìn)行超聲波無損檢測(cè)掃描，將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計(jì)分析軟件，通過對(duì)比兩組空洞率數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)：非氧化底板焊接空洞率較低，氧化底板的焊接空洞率普遍偏大。基于本實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，本文建議IGBT模塊在封裝之前，應(yīng)對(duì)散熱底板做好防腐處理，以確保底板不被氧化。
關(guān)鍵字： IGBT 底板氧化空洞率超聲波檢測(cè) 201605