受訪人：黃文源 東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術統括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 回答：自從半導體產品面世以來，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
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東芝 GaN 級聯共源共柵
受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營銷組的應用經理，負責工業和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？
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TI 第三代半導體 GaN SiC
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。事實上，GaN行業已經在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點，因
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GaN FET 電源 可靠性
IAR Systems 很高興地宣布推出全新的 3.10 版 IAR Embedded Workbench 以及 IAR 構建工具（Renesas RH850 版），全面支持 Renesas RH850，用于創建汽車行業下一代突破性解決方案，助力汽車行業創新?日益復雜的汽車應用需要在保證性能的情況下進行實時控制， Renesas 的現代化多核 RH850 汽車 MCU可以幫助實現這一目標。作為全球唯一為 Renesas 全系列 MCU 提供開發工具的供應商，IAR Systems 推出的最新版本
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IAR Systems Renesas RH850
SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優于傳統 Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時，SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的，這會導致設備和人員危險，同時還會由
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SiC GaN 柵極動態測試 光隔離探頭
提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動開關評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優異，同時減少了組件總數，節省了寶貴的電路板空間。 貿澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅動器和兩
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貿澤電子 GaN 半橋雙極驅動開關
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計，可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統中，需要以特定的順序進行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置
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GAN PA
嵌入式開發軟件和服務的全球領導者 IAR Systems 今天宣布推出完整開發工具鏈 IAR Embedded Workbench for Arm 的最新9.30版本，支持最新推出的高性能 Arm Cortex-M85 處理器。圖：IAREmbeddedWorkbench_9.30_screenshot?Arm 公司物聯網和嵌入式事業部副總裁 Mohamed Awad 表示：“要想在多樣化且不斷增長的物聯網和嵌入式市場中進行創新并取得成功，開發者需要一個強大的軟件和工具生態系統。Arm 最高性能
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IAR Systems Arm Cortex-M85 處理器
1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網 ) 里的
兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。
其中的生成者，又稱為創新者，而判別者又稱為鑒賞者。
在常見的圖像繪畫領域，其典型的協同創新模式是：
G( 創新者 ) 負責創作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一
張圖像的真或假，然后引領 G 逐步改進，止于完美逼
近目標。上述的 GAN 協同創新模式，屬于 AI 機器與機器之
間的協同合作或創新。然而，在 AI 科技不斷
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202206 GAN 人機協同
宜普電源轉換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現狀和發展趨勢。宜普電源轉換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產品信息和技術支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術的應用現狀和發展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業學生和所有氮化鎵技術愛好者而設，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
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5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進產業數字化轉型，為工業、汽車和消費電子等行業提供了巨大的應用想象空間與市場機會，例如實現創建人與機器人和諧共存的環境，高質量醫療，并且加速實現安全的自動駕駛汽車，等等。● 打造未來智能工廠——5G 無線網絡可以幫助工廠實現更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動，并降低事故風險。● 提供高質量的醫療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監測，進行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
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202206 毫米波 5G GAN
5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶數量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎設施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應用，涵蓋移動通信、無線網絡、點對點和點對多點微波通
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202206 第三代半導體 GaN
德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協助客戶充分發揮氮化鎵（GaN）技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術實現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產業領導者期盼透過數據中心實現技術創新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協助客戶充分發揮氮化鎵技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率。他也強調，
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TI GaN 數據中心 能源效率
1? ?GAN與NFT的結合在上一期里，我們說明了天字第一號模型：分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網絡)。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(generative art) 領域，就開始涌現了許多極具吸引力的創作和貢獻。GAN 如同生成藝術的科技畫筆，使用GAN 進行創作特別令人振奮，常常創作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質化代幣NFT(
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202205 生成對抗網路 GAN
嵌入式開發軟件和服務的全球領導者IAR Systems?日前宣布：其領先的Arm?開發解決方案現已為Alif Semiconductor?的Ensemble?和Crescendo?系列提供支持，從而打造了基于人工智能的、高效微控制器（MCU）和融合處理器。購買了Ensemble或Crescendo器件的公司能夠利用知名的開發工具鏈IAR Embedded Workbench? for Arm，以實現高性能的且強大的代碼優化功能。Alif Semiconductor的這些高能效產品系列現可提供多達4個處理內
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