1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關器件的商用化進程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發(fā)展的，技術只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務器/ 通信電源、電機驅動、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達等，其中快充會繼續(xù)引領氮化鎵開關器件的市場成長。相對于硅
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202201 GaN 英飛凌
GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但長期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場前景將如何？GaN技術和應用有何新突破？為此，本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動向。
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202201 GaN
GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應用夾縫之間。GaN產品的市場前景如何？GaN技術有何新突破？不久前，消費類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術。值此機會，電子產品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
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GaN 集成 202201
10月19日消息，據(jù)The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。 與傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率。 此外，蘋果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設備充電。 新的140W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網上架。 其中，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉MagSa
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蘋果 電源適配器 GaN 充電器
以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業(yè)中大規(guī)模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
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碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG
2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計。 新IC采用超薄InSOP?-24D封裝，內部集成
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PI InnoSwitch?3-PD GaN
TI領先的功率密度、全新架構與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務器的設計難題，降低總所有成本
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GAN TI 電源供應器
TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產品，至2025年市場規(guī)模將達8.5億美元，年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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新能源車 GaN 功率元件
氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產業(yè)專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會率先用到氮化鎵呢？
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氮化鎵 快充 GaN
德州儀器(TI)今日宣布與中國領先的軌道交通設備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯(lián)合設計實驗室，實現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產品和技術，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應用設計以助力中國新基建關鍵領域建設。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應用，以響應中國在2060年實現(xiàn)碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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德州儀器 GaN
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
南方科技大學深港微電子學院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點實驗室，圍繞中國半導體產業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
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集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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GaN FET SiC
John Grabowski：安森美半導體電源方案部門的首席應用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體，此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設計，應用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統(tǒng)。最近，他的團隊積極推動將高功率半導體應用于汽車電子化。引言為應對氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區(qū)的法律強制要求汽車制造商做出這些改變。為實現(xiàn)這一目標，其中一種方式就是采用混合動力，即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
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