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        TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設計

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
        • 關鍵字: TMS320C6201DSP  處理器  Flash  

        controller_4G08的方案設計 實現(xiàn)了FPGA對Flash的控制

        • 本文設計了一個Flash控制器controller_4G08,它建立了自己的指令集,可以方便地實現(xiàn)FPGA對Flash的控制和讀寫操作。FPGA主狀態(tài)機可以在系統(tǒng)時鐘頻率下對controller_4G08發(fā)送指令,然后等待controller_4G08返回的中斷
        • 關鍵字: Flash  控制  FPGA  實現(xiàn)  方案設計  controller_4G08  

        華邦:NOR Flash市場缺口達20%

        •   華邦總經(jīng)理詹東義表示,NOR Flash市場供不應求的情況仍然嚴重,估計市場缺口約20%,第3季的NOR Flash價格仍會持續(xù)調漲,甚至對于第4季營運都相當樂觀,尤其是華邦在客戶策略上,逐漸集中在一線客戶之后,受到全球景氣波動的影響相對較小。   華邦表示,若扣除重覆下單(Double Booking),目前NOR Flash市場缺口約20%,華邦的優(yōu)勢在于質量、成本和交期穩(wěn)定。目前對于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃,仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平,但預計這樣的產(chǎn)能水平仍無法滿足客戶需求
        • 關鍵字: 華邦  NOR  Flash  

        基于FPGA的K9F4G08 Flash控制器設計

        • 摘要:設計了一種能使FPGA的主狀態(tài)機直接管理Flash的控制器,該控制器具有自己的指令集和中斷管理方式。...
        • 關鍵字: FPGA  Flash  K9F4G08  

        基于M25P32 SPI Flash的TFFS設計與實現(xiàn)

        • 本文對VxWorks下TFFS文件系統(tǒng)的層次結構和FTL層的啟動過程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創(chuàng)建DOSFS進行了分析,給出了在M25P32 SPI Flash上創(chuàng)建TFFS文件系統(tǒng)和將TFFS掛在DOSFS的實現(xiàn)方法。通過對TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實現(xiàn)方法,可以從更基礎的層面來認識VxWorks中的TFFS文件系統(tǒng),從而給TFFS文件系統(tǒng)的問題定位和實現(xiàn)帶來新的方法。
        • 關鍵字: M25P32  Flash  TFFS  SPI    

        Flash文件系統(tǒng)剖析

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
        • 關鍵字: 文件系統(tǒng)  Flash  JFFS2  平均讀寫  

        JFFS2 文件系統(tǒng)及新特性介紹

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
        • 關鍵字: JFFS2  JFFS3  Flash  

        抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作

        •   英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash,為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣,決定讓新加坡廠重啟營運。   2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場,遂于2006年初合資成立IM Flash,由英特爾出錢出力,美光則提供技術,由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點,再加上金融海嘯的沖擊下,IM Flash受到嚴重沖擊,在2008年IM Flash裁員800人,花費35億美元打造,本應于2
        • 關鍵字: 三星電子  NAND  Flash  

        C8051F35X單片機內(nèi)部Flash存儲器的擦寫方法

        • 摘要:為避免在程序運行時向單片機內(nèi)置的Flash寫入數(shù)據(jù)導致復位,采用調用鎖定與關鍵碼的操作方法對C2805lF35X型單片機的Flash進行擦除、寫入和讀取操作,并提供程序范例。該方法無需任何接口電路,使用方便,成本低
        • 關鍵字: 擦寫  方法  存儲器  Flash  單片機  內(nèi)部  C8051F35X  

        Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

        • Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
        • 關鍵字: 系統(tǒng)  實現(xiàn)  DSP  管理  Flash  存儲  Nand  

        嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用

        • 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中,存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢,但因其隨機讀取速度快,因此在嵌入式系統(tǒng)中,常應用在程
        • 關鍵字: 應用  原理  Nand-Flash  系統(tǒng)  嵌入式  

        Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

        •   Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度,該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元,合攤薄股每股0.39美元的凈收入,其凈銷售額達近20億美元。相比之下,2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元,合攤薄股每股0.23美元,凈銷售額為17.4億美元,并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元,合攤薄股每股0.99美元,凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
        • 關鍵字: Micron  NAND  Flash  

        TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
        • 關鍵字: TMS320C6713B  DSP  Flash  

        跟上連接和融合的發(fā)展步伐

        •    MIPS 科技公司營銷副總裁Art Swift   2010 年我們在全球看到的最大的趨勢就是連接和融合。在整個市場,硬件平臺的融合和因特網(wǎng)連接正逐漸成為幾乎每個電子設備的一部分。對于消費者而言,這基本上意味著他們可以在任何時間和地點,在任何屏幕上瀏覽任何內(nèi)容。半導體設計人員需要跟上市場不斷變化的步伐, MIPS 致力于提供全面的解決方案幫助我們的客戶取勝。這意味著我們將為客戶提供更多以內(nèi)容為中心的解決方案,并對 Android、Linux、Flash、Java 和其他平臺優(yōu)化進行大量投資。
        • 關鍵字: MIPS  Android  Linux  Flash  Java   

        基于FLASH星載存儲器的高效管理研究

        • NAND FLASH開始廣泛應用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎,結合空間應用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概念對存儲器數(shù)據(jù)進行管理,制定了針
        • 關鍵字: FLASH  星載  存儲器    
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        flash介紹

        閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應管構成,寫入時,利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時,則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術,內(nèi)部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術發(fā)展很快,價格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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