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注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分

　　在不要求主級(jí)電路和次級(jí)電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí)，SEPIC 是一種非常有用的拓?fù)洹Ｔ谝蠖搪冯娐繁Ｗo(hù)時(shí)，我們可以使用它來(lái)代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)是單開(kāi)關(guān)工作和連續(xù)輸入電流，從而帶來(lái)較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓?fù)?如圖 1 所示)可使用兩個(gè)單獨(dú)的電感(或者由于電感的電壓波形類(lèi)似)，因此還可以使用一個(gè)耦合電感，如圖所示。因其體積和成本均小于兩個(gè)單獨(dú)的電感，耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)電感并非總是針對(duì)全部可能的應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。　　
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電容感測(cè)：你應(yīng)該選擇哪個(gè)架構(gòu)？

　　電容感測(cè)在很多應(yīng)用中大展拳腳，從接近度檢測(cè)和手勢(shì)識(shí)別，到液面感測(cè)。無(wú)論是哪種應(yīng)用，電容感測(cè)的決定性因素都是根據(jù)一個(gè)特定的基準(zhǔn)來(lái)感測(cè)傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特定應(yīng)用和系統(tǒng)要求的不同，你也許需要不同的方法來(lái)測(cè)量這個(gè)變化。在這篇博文章，我將介紹2個(gè)特定的架構(gòu)類(lèi)型—開(kāi)關(guān)電容器電路和電感器-電容器LC諧振槽路—這是當(dāng)前一種用于電容感測(cè)的電路。　　開(kāi)關(guān)電容器電路　　圖1顯示的是針對(duì)電容感測(cè)的經(jīng)簡(jiǎn)化電路，它以電荷轉(zhuǎn)移為基礎(chǔ);電路中的開(kāi)關(guān)執(zhí)行采樣保持運(yùn)行。在采樣之間，傳感器電感器上的電荷的變化會(huì)導(dǎo)致輸出電壓的變化
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PowerLab 筆記：如何避免傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題

　　這里，我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時(shí)會(huì)發(fā)生的情況。　　1.只需幾fF的雜散電容就會(huì)導(dǎo)致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講，開(kāi)關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。寄生電容與高 dV/dt 的混合會(huì)產(chǎn)生 EMI 問(wèn)題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時(shí)，會(huì)有少量電流直接泵送至電源線。　　2.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過(guò)，兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比，與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個(gè)節(jié)點(diǎn)，并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。想想電路布局中該節(jié)點(diǎn)的表面積是多少，
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手把手硬件電路詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程

　　獻(xiàn)給那些剛開(kāi)始或即將開(kāi)始設(shè)計(jì)硬件電路的人。時(shí)光飛逝，離俺最初畫(huà)第一塊電路已有3年。剛剛開(kāi)始接觸電路板的時(shí)候，與你一樣，俺充滿(mǎn)了疑惑同時(shí)又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗(yàn)、知識(shí)讓人目不暇接。像信號(hào)完整性，EMI，PS設(shè)計(jì)準(zhǔn)會(huì)把你搞暈。別急，一切要慢慢來(lái)。　　1)總體思路。設(shè)計(jì)硬件電路，大的框架和架構(gòu)要搞清楚，但要做到這一點(diǎn)還真不容易。有些大框架也許自己的老板、老師已經(jīng)想好，自己只是把思路具體實(shí)現(xiàn);但也有些要自己設(shè)計(jì)框架的，那就要搞清楚要實(shí)現(xiàn)什么功能，然后找找有否能實(shí)現(xiàn)同樣或相似功能的參考電路
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

　　摘要：本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。　　關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽(yáng)R3 　　一、引言　　MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
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高速PCB設(shè)計(jì)EMI之九大規(guī)則

　　隨著信號(hào)上升沿時(shí)間的減小及信號(hào)頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問(wèn)題越來(lái)越受到電子工程師的關(guān)注，幾乎60%的EMI問(wèn)題都可以通過(guò)高速PCB來(lái)解決。以下是九大規(guī)則：　　規(guī)則一：高速信號(hào)走線屏蔽規(guī)則　　　　在高速的PCB設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘等關(guān)鍵的高速信號(hào)線，走線需要進(jìn)行屏蔽處理，如果沒(méi)有屏蔽或只屏蔽了部分，都會(huì)造成EMI的泄漏。建議屏蔽線，每1000mil，打孔接地。　　規(guī)則二：高速信號(hào)的走線閉環(huán)規(guī)則　　　　由于PCB板的密度越來(lái)越高，很多PCB LAY
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GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

　　1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會(huì)聽(tīng)到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專(zhuān)題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開(kāi)關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測(cè)量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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8種經(jīng)典汽車(chē)行駛行駛記錄儀方案設(shè)計(jì)，軟硬件協(xié)同

　　汽車(chē)行駛記錄儀，俗稱(chēng)汽車(chē)黑匣子，是對(duì)車(chē)輛行駛速度、時(shí)間、里程以及有關(guān)車(chē)輛行駛的其他狀態(tài)信息進(jìn)行記錄、存儲(chǔ)并可通過(guò)接口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)輸出的數(shù)字式電子記錄裝置。開(kāi)車(chē)時(shí)邊走邊錄像，同時(shí)把時(shí)間、速度、所在位置都記錄在錄像里，相當(dāng)“黑匣子”。　　基于MCU的無(wú)線行駛記錄儀硬軟件設(shè)計(jì) 　　本文在實(shí)現(xiàn)無(wú)線行駛記錄儀無(wú)線通信方案時(shí)，選用基于Wi‐Fi通信模塊組成WLAN網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)記錄儀的無(wú)線通信。無(wú)線行駛記錄記錄儀可用于所有類(lèi)型車(chē)輛，特別適用于企事業(yè)單位，如：擁有大型車(chē)隊(duì)的物流公司、場(chǎng)站、機(jī)場(chǎng)、
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PCB設(shè)計(jì)技巧技術(shù)文獻(xiàn)集錦，包括布線、EMI、后期檢查等

　　PCB( Printed Circuit Board)，中文名稱(chēng)為印制電路板，又稱(chēng)印刷線路板，是重要的電子部件，是電子元器件的支撐體，是電子元器件電氣連接的載體。由于它是采用電子印刷術(shù)制作的，故被稱(chēng)為“印刷”電路板。　　淺談PCB電磁場(chǎng)求解方法及仿真軟件　　本文旨在工程描述一些電磁場(chǎng)求解器基本概念和市場(chǎng)主流PCB仿真EDA軟件，更為深入的學(xué)習(xí)可以參考計(jì)算電磁學(xué)相關(guān)資料。　　PCB設(shè)計(jì)中的高頻電路布線技巧　　PCB板層數(shù)越高，制造工藝越復(fù)雜，單位成本也就越高，這就
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如何解決多層PCB設(shè)計(jì)時(shí)的EMI

　　解決EMI問(wèn)題的辦法很多，現(xiàn)代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設(shè)計(jì)等。本文從最基本的PCB布板出發(fā)，討論P(yáng)CB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計(jì)技巧。　　電源匯流排　　在 IC的電源引腳附近合理地安置適當(dāng)容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來(lái)得更快。然而，問(wèn)題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應(yīng)的特性，這使得電容無(wú)法在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動(dòng)IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會(huì)形成電壓降，這些瞬態(tài)
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也來(lái)談?wù)凟MI和EMC電路中磁珠和電感的不同作用

　　磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來(lái)看看磁珠和電感的區(qū)別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多用于信號(hào)回路，用于EMC對(duì)策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導(dǎo)性干擾。磁珠是用來(lái)吸收超高頻信號(hào)，象一些RF電路，PLL,振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠，兩者都可用于處理EMC、EMI問(wèn)題。　　磁珠和電感在EMI和EMC電路中關(guān)鍵是是對(duì)高頻傳導(dǎo)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，也有抑制
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電子醫(yī)療設(shè)備EMI問(wèn)題減少的設(shè)計(jì)方法

　　設(shè)備設(shè)計(jì)者一直要求獲得具有更小封裝的SMPS。更小的EMI濾波器不僅能夠在電磁發(fā)射到達(dá)主線前有效的降低其量級(jí),還能夠減少主線濾波器的體積。模塊化的SMPS使設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)醫(yī)療設(shè)備時(shí)具有更大的靈活性。在重新設(shè)計(jì)或升級(jí)過(guò)程中,可以使用更高功率級(jí)別模塊化SMPS替換原SMPS,而無(wú)需對(duì)支持 SMPS和設(shè)備的電氣機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。　　使用基底噪聲濾波器降低傳導(dǎo)發(fā)射量級(jí) 　　基底噪聲濾波器與傳導(dǎo)線濾波器的聯(lián)合之下,基底噪聲通過(guò)傳導(dǎo)線濾波器被導(dǎo)入地下,在基底噪聲進(jìn)入建筑設(shè)施接地系統(tǒng)前,它將被有效減少。這
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汽車(chē)電子極近場(chǎng)EMI掃描技術(shù)方案

　　導(dǎo)讀：汽車(chē)廠商往往采用最新的消費(fèi)電子系統(tǒng)來(lái)體現(xiàn)與其他廠商汽車(chē)的差異化，該系統(tǒng)必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動(dòng)力系統(tǒng)、安全系統(tǒng)和其它汽車(chē)控制系統(tǒng)也都有同樣的要求，一旦出現(xiàn)故障，這些系統(tǒng)會(huì)導(dǎo)致更加嚴(yán)重的后果。　　汽車(chē)廠商往往采用最新的消費(fèi)電子系統(tǒng)來(lái)體現(xiàn)與其他廠商汽車(chē)的差異化，該系統(tǒng)必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動(dòng)力系統(tǒng)、安全系統(tǒng)和其它汽車(chē)控制系統(tǒng)也都有同樣的要求，一旦出現(xiàn)故障，這些系統(tǒng)會(huì)導(dǎo)致更加嚴(yán)重的后果。　　汽車(chē)電子系統(tǒng)對(duì)于供應(yīng)商提供的芯片和印制電路板的電磁輻射特別敏感。因此，SA
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EMI濾波器設(shè)計(jì)中的干擾特性和阻抗特性

　　隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電磁兼容性問(wèn)題成為電路設(shè)計(jì)工程師極為關(guān)注和棘手的問(wèn)題。根據(jù)多年的工程經(jīng)驗(yàn)，大家普遍認(rèn)為電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)中最重要的也是最難解決的兩個(gè)項(xiàng)目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿(mǎn)足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求，通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來(lái)抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個(gè)現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計(jì)一個(gè)能滿(mǎn)足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目，只有憑借經(jīng)驗(yàn)作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗(yàn)使用一個(gè)濾波器，如果不能滿(mǎn)足要求再重新修改設(shè)計(jì)或者換另一個(gè)新的濾波器。因此，要找到一個(gè)合適的EMI濾波器就成為一個(gè)費(fèi)時(shí)且高成本
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EMI 輻射信號(hào)強(qiáng)度解析

　　需要距離輻射源多遠(yuǎn)才能使輻射信號(hào)不干擾系統(tǒng)呢?要想知道這個(gè)問(wèn)題的答案，需要思考下面兩個(gè)問(wèn)題：1)輻射源的輻射能量大小;2)系統(tǒng)的 EMI 保護(hù)電路性能如何。本文中，我們將首先討論第一個(gè)問(wèn)題。　　呈輻射狀的電磁干擾 (EMI) 信號(hào)會(huì)從輻射源傳播至某個(gè)接收單元。根本而言，這些信號(hào)的功率或者電壓強(qiáng)度在“觸及”敏感的電路時(shí)，取決于發(fā)送器的功率/天線增益以及輻射源和接收器之間的距離(請(qǐng)參見(jiàn)圖 1)。　　　　圖 1 輻射源和接收器之間的 EMI 電場(chǎng)和功率
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