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        elitesic mosfet 文章 最新資訊

        MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動投影儀RGB LED的應用

        • 本應用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動器的參考設計。基于單芯片MAX16821構建大電流LED驅(qū)動器,能夠為...
        • 關鍵字: MOSFET  降壓轉(zhuǎn)換器  RGB  LED  

        Vishay Siliconix 擴展ThunderFET?的電壓范圍

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP,將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。
        • 關鍵字: Vishay  DC/DC  MOSFET  SiR872ADP  

        針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅(qū)動器

        • 針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中,開關型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當?shù)?200 W),并且常常會把電
        • 關鍵字: IGBT  MOSFET  柵極驅(qū)動器  

        繼2012年表現(xiàn)黯淡之后 中國功率MOSFET市場將恢復生機

        •   在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下,加之出口回升,預計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。   據(jù)IHS公司的中國研究專題報告,今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預計為22.5億美元,比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。   明年增長將更加強勁,預計營業(yè)收入上升11%,隨后每年將保持穩(wěn)定增長,至少保持到2017年。到2017年,預
        • 關鍵字: 消費電子  MOSFET  

        常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹

        • 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
        • 關鍵字: MOSFET  功率器件  

        基于MOSFET設計優(yōu)化的功率驅(qū)動電路

        • 摘要:在分析了功率MOSFET其結構特性的基礎上,討論驅(qū)動電路的設計,從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能,提高設計的可靠性。
          關鍵詞:MOSFET;急聚點;損耗

          功率MOSFET具有開關速度快,導通電阻小等優(yōu)點,因此在開關
        • 關鍵字: MOSFET  急聚點  損耗  

        關于MOSFET驅(qū)動電阻的選擇

        • L為PCB走線電感,根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm,考慮其他走線因素,取L=Length+10(nH),其中Length單位取mm。Rg...
        • 關鍵字: MOSFET  驅(qū)動電阻  

        分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

        • 在電源設計小貼士#42中,我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器,并且了解到利用小型SOT-23...
        • 關鍵字: MOSFET  驅(qū)動器  

        得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝,功率MOSFET在不斷進步

        • 要點1.導通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關器件的選擇,硅遠未到...
        • 關鍵字: 晶圓減薄  MOSFET  

        Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線,功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性,比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能,定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性,減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  DrMOS  

        HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

        • 摘要: 先進的單元結構和壽命控制技術已同時增強了功率MOSFET的導通電阻和反向恢復性能。 本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性,另外還介紹了其性能和效率。
        • 關鍵字: MOSFET  鎮(zhèn)流器  FRFET  201302  

        IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動IC

        • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動IC。新產(chǎn)品具有全面保護和診斷功能,為繼電器更換和電池開關應用提供更高的可靠性。
        • 關鍵字: IR  驅(qū)動IC  AUIR3200S  MOSFET  

        用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源

        • TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比,TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG,QGD)數(shù)值都有所減小,降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去,降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設計,同時實現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
        • 關鍵字: TrenchFET  MOSFET  DC/DC  

        MOSFET結構及工作原理

        • MOSFET結構及工作原理,金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
        • 關鍵字: mosfet  場效應管    

        通過可定制單芯片系統(tǒng)提高光伏逆變器的效率(上)

        • PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個主要的組成部分:用于實施系統(tǒng)管理任務和控制算法的控制器,以及AC至DC轉(zhuǎn)換電路。控制器的特性取決于PV系統(tǒng)的類型和結構以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細地分析每個組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
        • 關鍵字: PV系統(tǒng)  逆變器  MOSFET  光伏逆變器  
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