安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
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安森美 TOLL封裝 碳化硅 MOSFET
英飛凌科技股份公司近日發布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝，具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行
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SiC 太陽能 MOSFET
1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場
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MOSFET MOS 場效應管
一、什么是開關電源開關模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個人電腦，而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開關損耗開關損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時,所產生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
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開關電源 MOS MOSFET
摘要傳統上，過流保護使用的是保險絲。但是，保險絲體積龐大，響應速度慢，跳閘電流公差大，需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應速度快的10 A電子保險絲，它沒有上述這些無源保險絲缺點。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過流保護。簡介為了盡量減少由電氣故障引起的系統停機時間，使用率高的電源或全年無休的系統需要在供電板上增加過載和短路保護。當電源為多個子系統或板（例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務器和路由器）供電時，必須為電源提供過流保護。快速斷開發生故障的子系統與共享電源總
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MOSFET
全球變暖是人類面臨的最大挑戰。全球科學家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一個可持續發展的未來。要實現面向未來的可持續能源網絡，綠色轉型勢在必行，下一代能源基礎設施必須對環境有利。安森美認為下一代能源網絡將主要基于太陽能和風能等可再生能源，并結合能源儲存的能力。此外，我們認為能耗必須向電動汽車 (EV) 等高效和零排放的負載遷移，以實現可行且可持續的能源網絡。圖1 21世紀能源網絡無論是太陽能、風能和儲能等可再生能源，還是電動汽車
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MOSFET
可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業面臨的又一個新發展機遇，可穿戴設備經歷了前些年從概念火爆到實際產品大量普及的過程之后，行業前景一直穩步成長。據統計，2019年全球可穿戴技術產品市場的規模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續爆發雖然2020年全球經歷了嚴重的新冠疫情影響，部
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202009 MOSFET
電網提供的電能是交流電，但我們使用的大多數設備都需要直流電，這意味著進行這種轉換的交流/ 直流電源是能源網上最常見的負載之一。隨著世界關注能效以保護環境并管理運營成本，這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數也有很大的影響。功率因數(PF) 描述了任何交流電設備（包括電源）消耗的有用（真實）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載，PF 將等于1，但任何負載內的無功
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202204 MOSFET 無橋圖騰柱 功率因數校正控制器
提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產品基于光聲光譜學 (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風檢測傳感器腔內CO2分子產生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產品中節省超過75%的空間。貿澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測器、紅外源和光學濾波器）、用
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貿澤電子 英飛凌 XENSIV PAS CO2傳感器 MOSFET
4月8日消息，揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產品，采用先進的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工藝，針對電機驅動、BMS等應用設計，優化BVdss、Rdson、Qg等參數性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統、儲能系統、逆變電源系統、電機驅動系統、電源管理系統等，是其核
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MOSFET 楊杰科技
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
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MOSFET ZLG
最近，瑞森研發部對功率MOSFET的技術進行了更新換代，這種技術改變了MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。
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MOSFET 瑞森
該文描述了引起功率MOSFET發生寄生導通的機制，并進一步指出為了避免寄生導通，在選取MOSFET時應遵循什么準則。
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MOSFET 英飛凌
在開關電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導致發熱呢？本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管的半導體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示，對于N溝道型的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管，如圖2所
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MOSFET ZLG
中國半導體功率器件十強企業：揚杰科技(YANGJIE)· 主要產品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠牌優勢：專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產業發展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認證，連續數年評為中國半導體功率器件十強企業。國內領先的的分立器件研發企業：長晶科技（JSCJ）· 主要產品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優勢：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
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