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        關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

        • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲(chǔ)器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器,而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH,早期可電擦寫(xiě)型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
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        單片機(jī)掉電檢測(cè)與保存

        •   單片機(jī)在正常工作時(shí),因某種原因造成突然掉電,將會(huì)丟失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM)里的數(shù)據(jù)。在某些應(yīng)用場(chǎng)合如測(cè)量、控制等領(lǐng)域,單片機(jī)正常工作中采集和運(yùn)算出一些重要數(shù)據(jù),待下次上電后需要恢復(fù)這些重要數(shù)據(jù)。因此,在一些沒(méi)有后備供電系統(tǒng)的單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中,有必要在系統(tǒng)完全斷電之前,把這些采集到的或計(jì)算出的重要數(shù)據(jù)存在在EEPROM中。為此,通常做法是在這些系統(tǒng)中加入單片機(jī)掉電檢測(cè)電路與單片機(jī)掉電數(shù)據(jù)保存。   用法拉電容可從容實(shí)現(xiàn)單片機(jī)掉電檢測(cè)與數(shù)據(jù)掉電保存。電路見(jiàn)下圖。這里首先用6V供電(如7806),為什么用6
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        PIC32單片機(jī)在氣相色譜儀中應(yīng)用方案,軟硬件協(xié)同

        • PIC32單片機(jī)在氣相色譜儀中應(yīng)用方案,軟硬件協(xié)同, 1 主要內(nèi)容1.1課題的目的及意義氣相色譜儀是一個(gè)精密儀器,其用途非常廣泛。他廣泛用于石油、化工、農(nóng)藥、公安、白酒、環(huán)境檢測(cè)、衛(wèi)生防疫以及高等院校、科研部門(mén)。自1952年世界上第一次創(chuàng)建實(shí)用氣液色譜法以來(lái),在
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        HOLTEK推出HT24LC128新款大容量串行式EEPROM

        • HOLTEK推出新款串行式EEPROM產(chǎn)品 -- HT24LC128,使用兩線式串行接口,總共有128K位內(nèi)存容量,內(nèi)存架構(gòu)為16384 x 8位。HT24LC128的最快工作頻率為400kHz,工作電
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        Flash芯片你都認(rèn)識(shí)嗎?

        •   Flash存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上,F(xiàn)lash總類可謂繁多,功能各異,而你對(duì)它了解有多少呢?  為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn),給大家一個(gè)全新認(rèn)識(shí)。  一、IIC?EEPROM  IIC?EEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn):簡(jiǎn)單的兩條總線線路,一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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        新一代存儲(chǔ)技術(shù)漸入實(shí)用階段

        •   近十年來(lái),在高速成長(zhǎng)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)市場(chǎng)的推動(dòng)下,業(yè)界一直在試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲(chǔ)器技術(shù),以替代閃存技術(shù),更有效地縮小存儲(chǔ)器,提高存儲(chǔ)性能。目前具有突破性的存儲(chǔ)技術(shù)有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。   新一代存儲(chǔ)技術(shù)顯現(xiàn)   “多、快、省”特點(diǎn)   MRAM是一種非易失性磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力及動(dòng)態(tài)隨
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        意法半導(dǎo)體(ST)推出全球首款內(nèi)置多I2C地址的4焊球WLCSP封裝 EEPROM

        •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)的M24系列EEPROM存儲(chǔ)器新增四款完全兼容工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4焊球WLCSP封裝(Wafer Level Chip Scale Package,晶圓級(jí)芯片封裝) 的產(chǎn)品,同時(shí)也是首個(gè)準(zhǔn)許在同一條I2C總線上連接兩顆以上4針EEPROM芯片,這是因?yàn)槊靠町a(chǎn)品都有一個(gè)獨(dú)立、內(nèi)部固化連接的I2C地址。因此設(shè)計(jì)人員可以在同一條總線上連接
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        【E問(wèn)E答】EEPROM工作原理是怎樣的?

        •   PROM是可編程器件,主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu),其中有EPROM和EEPROM等,工作原理大體相同,主要結(jié)構(gòu)如圖所示:        浮柵中沒(méi)有電子注入時(shí),在控制柵加電壓時(shí),浮柵中的電子跑到上層,下層出現(xiàn)空穴。由于感應(yīng),便會(huì)吸引電子,并開(kāi)啟溝道。如果浮柵中有電子的注時(shí),即加大的管子的閾值電壓,溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開(kāi)關(guān)功能。        如圖2所示,這是EPROM的寫(xiě)入過(guò)程,在漏極加高壓,電子從源極流向漏極溝道充分開(kāi)啟。在高壓的作用下,
        • 關(guān)鍵字: EEPROM  浮柵  

        【E問(wèn)E答】EEPROM工作原理是怎樣的?

        •   PROM是可編程器件,主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu),其中有EPROM和EEPROM等,工作原理大體相同。  PROM是可編程器件,主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu),其中有EPROM和EEPROM等,工作原理大體相同,主要結(jié)構(gòu)如圖所示:  浮柵中沒(méi)有電子注入時(shí),在控制柵加電壓時(shí),浮柵中的電子跑到上層,下層出現(xiàn)空穴。由于感應(yīng),便會(huì)吸引電子,并開(kāi)啟溝道。如果浮柵中有電子的注時(shí),即加大的管子的閾值電壓,溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開(kāi)關(guān)功能。  如圖2所示,這是EPROM的寫(xiě)入過(guò)程,在漏極
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        Microchip新型數(shù)模轉(zhuǎn)換器集成EEPROM,可在掉電時(shí)保留設(shè)置

        •   全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)日前發(fā)布MCP48FXBXX系列新器件,進(jìn)一步擴(kuò)展其數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)產(chǎn)品線。MCP48FEBXX系列DAC器件一共包含6款新產(chǎn)品,內(nèi)有集成的EEPROM,可在掉電時(shí)保存DAC設(shè)置,而MCP48FVBXX系列則為不需要集成存儲(chǔ)器的應(yīng)用提供了成本更低的另一種選擇。這些低功耗的單通道和雙通道DAC提供8、10和12位分辨率,具有SPI串行接口,采
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        用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫(xiě)壽命極限

        •   一般地,EEPROM存儲(chǔ)器(如93C46/56/66系列)的擦寫(xiě)次數(shù)為10萬(wàn)次,超過(guò)這一極限時(shí),該單元就無(wú)法再使用了。但在實(shí)際應(yīng)用中,可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫(xiě)。這時(shí),可通過(guò)變址尋址的方式來(lái)突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫(xiě)壽命極限。  我們有一個(gè)單字節(jié)的數(shù)據(jù)要保存在E2PROM(93C56)中,可按以下方法來(lái)做:  1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元。  2、將要尋址的單元地址(假設(shè)為01H)放入93C56的00H地址中。  3、每次要對(duì)E2PROM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí),先讀取00H中的數(shù)據(jù),并
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        實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)吐血推薦:怎樣在Linux環(huán)境下輕松實(shí)現(xiàn)基于I2C總線的EEPROM驅(qū)動(dòng)程序

        •   1引言   I2C (Inter-Integrated Circuit1總線是一種由Philips公司開(kāi)發(fā)的2線式串行總線,用于連接微控制器及其外圍設(shè)備。它是同步通信的一種特殊形式,具有接口線少、控制方式簡(jiǎn)單、器件封裝形式小、通信速率較高等優(yōu)點(diǎn)。在主從通信中,可有多個(gè)I2C總線器件同時(shí)接到I2C總線上,通過(guò)地址來(lái)識(shí)別通信對(duì)象。筆者在開(kāi)發(fā)基于MPC8250的嵌入式Linux系統(tǒng)的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)I2C總線在嵌入式系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,I2C總線控制器的類型比較多,對(duì)系統(tǒng)提供的操作接口差別也很大。與I2C總線相連的
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        來(lái)IIC,您將看到這些公司的新產(chǎn)品(一)

        •   離 IIC2015 秋季展只有一個(gè)月了,對(duì)于過(guò)去19年以來(lái)都有參觀的老工程師來(lái)說(shuō),去現(xiàn)場(chǎng)參觀一下參觀商,聽(tīng)?zhēng)讏?chǎng)重要的研討會(huì),似乎是每年都會(huì)盡量安排去做的事。今年是IIC展會(huì)第20周年,展會(huì)即將來(lái)臨之前,在此先向大家推薦多家參展商預(yù)告的產(chǎn)品與技術(shù),這樣有助于您現(xiàn)場(chǎng)參觀時(shí)更有針對(duì)性的去參觀了解。   廠商一:聚辰半導(dǎo)體(上海)有限公司(展位號(hào): 3B21)   聚辰半導(dǎo)體(上海)有限公司會(huì)在現(xiàn)場(chǎng)推廣I2C、SPI和Microwire接口的系列EEPROM產(chǎn)品、OPA產(chǎn)品和鏡頭驅(qū)動(dòng)芯片。重點(diǎn)展示非接觸射
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        意法半導(dǎo)體(ST)世界首款汽車級(jí)2Mbit EEPROM讓汽車變得更環(huán)保、更安全

        •   意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)推出業(yè)界首款通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證的2Mbit EEPROM芯片,為復(fù)雜的汽車系統(tǒng)模塊存儲(chǔ)及管理參數(shù)提供更多的應(yīng)用機(jī)會(huì)。   提升混合動(dòng)力汽車、電動(dòng)汽車或重型卡車發(fā)動(dòng)機(jī)功率轉(zhuǎn)換效率和環(huán)保性能需要大量使用各種參數(shù),包括進(jìn)氣量、燃油噴射、廢氣排放量或電池充電信息。同樣地,各種汽車安全應(yīng)用包括安全氣囊、行車記錄儀或制動(dòng)控制器,均需要存儲(chǔ)并處理大量輸出參數(shù)以執(zhí)行物體檢測(cè)、3軸運(yùn)動(dòng)感測(cè)、車輪速度及轉(zhuǎn)向角度等。   意法半導(dǎo)體新款M95M02
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        華虹半導(dǎo)體最新推出0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)

        •   華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布,最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)工藝平臺(tái)。該工藝平臺(tái)作為華虹半導(dǎo)體0.18微米超低漏電技術(shù)的延續(xù),可為客戶提供一個(gè)完美兼具高性能、低功耗、低成本優(yōu)勢(shì)于一身的差異化解決方案。   新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)支持低至于1.08伏的操作電壓,小于0.2pA/μm的超低漏電。該平臺(tái)的存儲(chǔ)器I
        • 關(guān)鍵字: 華虹  EEPROM  
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        eeprom介紹

          EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用。   EEPROM(電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器)是可用戶更改的只讀存儲(chǔ)器(ROM),其可通過(guò)高于普通電壓的作用來(lái)擦除和重編程(重寫(xiě))。 [ 查看詳細(xì) ]

        eeprom專欄文章

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