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        e-mode gan fet 文章 最新資訊

        宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術的消費電子應用場景

        • PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ,包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間,EPC的技術專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術交流、討論氮化鎵技術及其應用場景的最新發展。氮化鎵技術正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括:推動人工智能
        • 關鍵字: 宜普電源  CES 2024  氮化鎵  GaN  

        Nexperia針對工業和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

        • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝,為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業知識,如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管(GaN FET),Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應管,采用CCP
        • 關鍵字: Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

        “四兩撥千斤”,寬禁帶技術如何顛覆性創新

        • 在半導體行業,新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中,寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂,怎么做到的?寬禁帶材料的優勢主要體現在:? 與傳統的硅基半導體材料相比,寬禁帶產品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度,更高的擊穿
        • 關鍵字: GaN  寬禁帶  SiC  

        Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件

        • Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利,是設計和生產創新、用于陽臺的小型發電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管(EPC2204), 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現了最佳折衷,這對于要求嚴格的硬開關應用至關重要,同時在緊湊的封裝中實現100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著縮小了PCB的尺寸,保持較小的電流環路和最大限度地減少EMI。
        • 關鍵字: Efficient Energy Technology  EET  SolMate  EPC  氮化鎵器件  GaN  

        面向GaN功率放大器的電源解決方案

        • RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術,有時設計具有一定挑戰性;但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文,了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今,電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天,有一些技術使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天,我們擁有電源管理集成電路(PMIC)器件,可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電,以及PMIC所帶來更多其他優勢。我們將在下
        • 關鍵字: Qorvo  GaN  功率放大器  

        FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

        • 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優點,對于此類傳感器的研究和開發進行了大量投入。特別是基于場效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應管,它們被廣泛用于各種應用:如生物研究,即時診斷,環境應用,以及食品安全。生物場效應管將生物響應轉換為分析物,并將其轉換為可以使用直流I-V技術輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關。根據設備上的終端數量,可以使用多個源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
        • 關鍵字: 泰克科技  FET  生物傳感器  

        日本開發新技術,可實現GaN垂直導電

        • 當地時間11月13日,沖電氣工業株式會社(OKI)與信越化學合作,宣布成功開發出一種技術,該技術使用OKI的CFB(晶體薄膜鍵合)技術,從信越化學特殊改進的QST(Qromis襯底技術)基板上僅剝離氮化鎵(GaN)功能層,并將其粘合到不同材料的基材該技術實現了GaN的垂直導電,有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發垂直GaN功率器件,并與制造這些器件的公司合作,讓這些器件能應用到實際生產生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關注,尤其在1800
        • 關鍵字: GaN  垂直導電  OKI  

        1250V!PI PowiGaN?提升GaN開關耐壓上限

        • 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。相比于生成工藝復雜的SiC,GaN的生成工藝相對成熟,可以制作成尺寸小巧的芯片封裝,因此非常適合在各種消費級和工業級開關功率應用。當然,相比SiC在高壓領域的出色表現,GaN在高壓的表現并不突出。因此,作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations(PI)創新地將GaN開關的耐壓上限提升到1250V,再次為GaN開關的應用填補了新的耐受電壓領域。 PI的PowiGaN已經在超過60個的市場應用中
        • 關鍵字: 1250V  PI  PowiGaN  GaN  

        Transphorm推出TOLL封裝FET,將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件

        • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 -新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準,這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可
        • 關鍵字: Transphorm  氮化鎵  GaN  

        EPC新推100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器,用于電動自行車、機器人和無人機

        • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統的效率、扭矩而同時使得單位重量功率(比功率)增加了一倍以上。該逆變器非常微型,可集成到電機外殼中,從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V,可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動器,包括電動自行車、電動滑板車、無人
        • 關鍵字: EPC  GaN FET  電機驅動器  

        CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態系統

        • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司(TWSE:6412)和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協議,共同設計和開發使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統整體解決方案提供商,專注于各種應用的電源和適配器,包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務器/云解決方案。劍橋大學高壓微電子和傳
        • 關鍵字: CGD  群光電能  GaN  生態系統  

        巧用這三個GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設計

        • 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加,從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器,到 LED 照明、白色家電、電機驅動、智能儀表和工業系統等。對于這些離線反激式電源的設計者來說,面臨的挑戰是如何確保穩健性和可靠性,同時繼續降低成本,提高效率,縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題,設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求,從而實現更高的功率密度。然
        • 關鍵字: 電源效率  氮化鎵  GaN  電源轉換器設計  

        英飛凌完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems),成為領先的氮化鎵龍頭企業

        • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批,交易結束后,GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執行官?Jochen Hanebeck?表示,“氮化鎵技術為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙,有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
        • 關鍵字: 英飛凌  氮化鎵系統公司  GaN Systems  氮化鎵  

        英飛凌完成收購氮化鎵系統公司 (GaN Systems)

        • 據英飛凌官微消息,英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批,交易結束后,GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日,英飛凌和GaN Systems聯合宣布,雙方已簽署最終協議。根據該協議,英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現金”收購交易是使用現有的流動
        • 關鍵字: 英飛凌  氮化鎵系統  GaN Systems  

        Transphorm最新技術白皮書:常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優勢對比

        • 氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業Transphorm, Inc.近日發布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優勢。重要的是,該文章還解釋了e-mode平臺為實現常閉型解決方案,從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優勢,包括:1.性能更高:優越的 TCR (~25%),更低的動態與靜態導通電阻比
        • 關鍵字: Transphorm  常閉耗盡型  D-Mode  增強型  E-Mode  氮化鎵  
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