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BJT的驅(qū)動(dòng)器及電路原理

BJT的驅(qū)動(dòng)器及電路基極驅(qū)動(dòng)電流的波形。開(kāi)通時(shí)要有較高的基極驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)觸發(fā)，以減短開(kāi)通時(shí)間。
BJT開(kāi)通后在通態(tài)下基極電流要適當(dāng)?shù)臏p小，以減小通態(tài)基-射結(jié)損耗，同時(shí)使BJT不至于飽和導(dǎo)通。飽和導(dǎo)通時(shí)其關(guān)斷時(shí)間
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Diodes 推出小型SOT963封裝器件

　　Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過(guò)采用更大封裝的器件。　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。　　現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號(hào)雙MOS
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET BJT TVS

BJT的驅(qū)動(dòng)器及電路

BJT的驅(qū)動(dòng)器及電路基極驅(qū)動(dòng)電流的波形。開(kāi)通時(shí)要有較高的基極驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)觸發(fā)，以減短開(kāi)通時(shí)間。
BJT開(kāi)通后在通態(tài)下基極電流要適當(dāng)?shù)臏p小，以減小通態(tài)基-射結(jié)損耗，同時(shí)使BJT不至于飽和導(dǎo)通。飽和導(dǎo)通時(shí)其關(guān)斷時(shí)間
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bjt介紹

雙載子接面晶體管（Bipolar Junction Transistor，又稱雙極晶體管、雙載子接面三極管）根據(jù)不同的摻雜方式，在同一硅芯片上，制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，形成兩個(gè) P-N 結(jié)。基本上依照極性可分成NPN 、PNP 兩種類(lèi)。以 NPN 晶體管為例：在雙載子接面晶體管里，雖然基極內(nèi)的電洞較多，是多數(shù)載子。但是電流的傳遞，主要卻是透過(guò)基極里的少數(shù)載子（即電子）來(lái)完成的，也因此 BJT [ 查看詳細(xì) ]