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飛兆半導(dǎo)體µSerDes™產(chǎn)品具有ESD保護
- 飛兆半導(dǎo)體公司宣布推出基于 µSerDes™ 技術(shù)的重要強化產(chǎn)品FIN224AC。與備受歡迎的前代產(chǎn)品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面積和基礎(chǔ)架構(gòu)，但卻提供增強的靜電放電 (ESD) 保護功能并能降低EMI。對任何手持式電子產(chǎn)品而言，ESD損害都是重要的考慮問題。飛兆半導(dǎo)體將FIN24AC的8kV ESD保護性能提升至 FIN224AC的15kV ESD，因而解決了這一難題。另一項改進
- 關(guān)鍵字： µ SerDes™ 15kV ESD 保護 單片機 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng)
EFT/ESD問題的測量和定位
- 大部分電子產(chǎn)品需要通過電快速瞬變脈沖群（EFT）（根據(jù)IEC61000-4-4）和靜電放電（ESD）(根據(jù)IEC61000-4-2)等項目的標準測試。EFT和ESD是兩種典型的突發(fā)干擾，EFT信號單脈沖的峰值電壓可高達4kV，上升沿5ns。接觸放電測試時的ESD信號的峰值電壓可高達8kV，上升時間小于1ns。這兩種突發(fā)干擾，都具有突發(fā)、高壓、寬頻等特征。 在進行標準的EFT/ESD測試時，把干擾脈沖從設(shè)備外部耦合到內(nèi)部，同時監(jiān)視設(shè)備的工作狀態(tài)。如果設(shè)備沒有通過這些標準的測試，測試本身幾乎不能提
- 關(guān)鍵字： EFT/ESD 測量 測試
ST推出ESD二極管陣列微型封裝
- 意法半導(dǎo)體(ST)日前推出一系列ESD二極管陣列，采用外廓極小的微型引線框架封裝。該設(shè)計可保護易受靜電攻擊的設(shè)備，防止過壓瞬變損壞設(shè)備或降低性能。由于封裝尺寸極小，新器件的ESD保護設(shè)計適用于手機、數(shù)碼相機、MP3播放器等便攜應(yīng)用以及計算機和電信產(chǎn)品，并都提供1到5線的ESD保護功能。 ESDALC6V1M3是一個在SOT883封裝內(nèi)集成了兩個ESD二極管的低電容器件，適用于各種應(yīng)用的1線或2線ESD保護功能。該二極管電容為7pF(Vr為2.5V), 因此適合高速數(shù)據(jù)線路或其它I/O接口。
- 關(guān)鍵字： ESD ST 二極管 封裝
ESD保護器件產(chǎn)品詳解
- 泰科電子旗下的Raychem電路保護部推出PESD0402和0603靜電放電（ESD）保護器件產(chǎn)品。PESD保護器件專為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中的輸入/輸出接口保護而設(shè)計，能使電子設(shè)備中的敏感電路免受靜電放電影響。 Raychem的PESD器件優(yōu)于傳統(tǒng)的保護器件，比如齊納二極管和多層壓敏電阻器（MLV）。傳統(tǒng)保護器件，不能在不引起信號質(zhì)量下降或失真的情況下持續(xù)應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)傳輸中。另一方面，瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管和微型氣體放電管對目前體積日趨減小的緊湊信息設(shè)備而言，顯得過大或過于昂貴。 R
- 關(guān)鍵字： ESD
減小ESD引起的停機時間
- 減小ESD引起的停機時間 半導(dǎo)體器件常常因靜電放電而失效。弄清楚失效的根源并遵守設(shè)計規(guī)則，就有助于避免這種失效。 ESD（靜電放電）是導(dǎo)致電子器件失 效的主要原因，它可以在任何階段——從制造到測試、組裝、生產(chǎn)、現(xiàn)場運行以及現(xiàn)場 PC 裝配等——影響電子器件的功能。專家估計，1994 年全世界電子行業(yè)因 ESD 造成的損失超過 900 億美元（參考文獻 1）。ESD 的發(fā)生原因是電荷在某一表面的累積，如摩擦生電。但是，由于電子產(chǎn)品的快速小型化，導(dǎo)致器件的幾何尺寸縮小，其中包括層厚度，因此這些高密
- 關(guān)鍵字： ESD
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