- 對于VSCEL這種高精密光芯片來說，在外延片的量產過程中，如何確保激射時所需的波長，并獲得高反射率的DBR也是國產廠商亟待突破的另一大瓶頸。據記者了解，作為外延工藝中的關鍵組成部分，激射過程主要是為了在有源區部分將電子空穴對轉化為光子，然后將其在諧振腔中不斷放大，最后在DBR反射率較低的一面激射出激光，而個中關鍵在于諧振腔中將電子空穴對轉化為光子的有源區，這與VCSEL晶片量子阱的材料組分和構成有很大關系。 為了保證激射的效果，目前常規獲得940nm波段輸出的VCSEL主要采用的是InGaAs/Al
- 關鍵字：
VSCEL，光芯片
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