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WLR測(cè)試中所面臨的新挑戰(zhàn)

• 　　就像摩爾定律驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體幾何尺寸的縮小一樣，有關(guān)解決半導(dǎo)體可靠性問(wèn)題的活動(dòng)也遵循一個(gè)似乎有點(diǎn)可以預(yù)測(cè)的周期。例如，技術(shù)演進(jìn)到VLSI時(shí)，為了保持導(dǎo)線的電路速度，引入了鋁線連接。此時(shí)，很快就發(fā)現(xiàn)了電子遷移這類(lèi)的可靠性問(wèn)題。一旦發(fā)現(xiàn)了問(wèn)題所在，就會(huì)通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)對(duì)退化機(jī)制進(jìn)行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術(shù)的可靠性指標(biāo)達(dá)到最佳。隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟，焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入，由于使用了應(yīng)力硅、銅和低K介電材料等，又開(kāi)始一輪新周期。 　　隨著引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
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